[发明专利]射频溅射配置

权利要求书

1.一种溅射装置，其特征在于：所述装置包括：

真空腔室，是由侧壁、底部和遮盖单元所定义；

第一电极，具有第一表面，其配置于所述真空腔室内；

对应电极，具有一表面，其配置于所述真空腔室内；以及

射频产生器，用以施加射频电场，其穿过所述第一电极与所述对应电极，以开始产生等离子于所述第一电极与所述对应电极之间；

其中，所述对应电极包括至少二凹部，其互通于所述真空腔室，每一所述凹部的尺寸是允许等离子形成于所述凹部中。

2.如权利要求1所述的溅射装置，其特征在于：所述对应电极包括所述真空腔室的所述侧壁及/或所述底部及/或所述遮盖单元的至少一部分，以及一或更多突出导电部。

3.如权利要求1所述的溅射装置，其特征在于：所述对应电极包括侧壁框及至少三个突出导电部，以定义二或更多的凹部。

4.如权利要求1至3中任意一项所述的溅射装置，其特征在于：所述对应电极是配置于所述真空腔室的周围区域。

5.如权利要求1至4中任意一项所述的溅射装置，其特征在于：所述对应电极是配置于所述第一电极一与一基材之间的视角线之外。

6.如权利要求3至5中任意一项所述的溅射装置，其特征在于：所述突出导电部是由所述侧壁框来突出。

7.如权利要求1至6中任意一项所述的溅射装置，其特征在于：所述凹部的数量为若干个突出导电部的数量减一。

8.如权利要求1至7中任意一项所述的溅射装置，其特征在于：所述突出导电部是相互间隔一距离地平行配置。

9.如权利要求1至7中任意一项所述的溅射装置，其特征在于：至少一所述突出导电部是平行于所述侧壁框。

10.如权利要求9所述的溅射装置，其特征在于：所述突出导电部是由所述对应电极的底框来突出。

11.如权利要求2至10中任意一项所述的溅射装置，其特征在于：每一所述突出导电部包括一环。

12.如权利要求11所述的溅射装置，其特征在于：所述凹部是呈环状。

13.如权利要求1至6中任意一项所述的溅射装置，其特征在于：所述对应电极包括若干个突出导电部，其由侧壁框来径向地伸出。

14.如权利要求13所述的溅射装置，其特征在于：所述突出导电部是由所述对应电极的遮盖框来延伸至底框。

15.如权利要求13或14所述的溅射装置，其特征在于：所述凹部具有实质的梯形形状。

16.如权利要求1至15中任意一项所述的溅射装置，其特征在于：所述对应电极具有表面面积(Ac)，所述第一电极具有表面面积(At)，其中所述表面面积(Ac)大于等于所述表面面积(At)。

17.如权利要求1至16中任意一项所述的溅射装置，其特征在于：所述第一电极包括靶材，其具有欲被溅射的材料。

18.如权利要求1至17中任意一项所述的溅射装置，其特征在于：通道是用以抽出气体于所述真空腔室之外及/或供应气体于所述真空腔室内，所述通道是配置于所述第一电极与所述遮盖单元之间及/或于所述基材与所述底部之间及/或于所述侧壁上。

19.如权利要求1至18中任意一项所述的溅射装置，其特征在于：所述溅射装置还包括磁铁，其邻近于所述第一电极的第二表面，所述第二表面是相对于所述第一电极的所述第一表面。

20.如权利要求19所述的溅射装置，其特征在于：所述磁铁是可转动的。