[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

被接合基板；和

与所述被接合基板接合且形成有元件图案的半导体元件部，

在所述被接合基板和半导体元件部的接合界面，在所述被接合基板和半导体元件部中的至少一个形成有凹部。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述凹部与外部连接。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

所述凹部由相互平行地延伸的多个槽条构成。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述凹部不与外部连接。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

所述凹部由相互分离的多个点状凹部构成。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述凹部构成为：成为用于使所述被接合基板和半导体元件部对位的对准标志。

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述被接合基板是玻璃制的，

所述半导体元件部是硅制的。

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

元件形成工序，在基体层上形成元件图案后，以覆盖该元件图案的方式形成平坦化膜；

分离层形成工序，在形成有所述平坦化膜的基体层形成分离层；

基体层配置工序，在被接合基板的规定位置配置形成有所述元件图案和分离层的基体层；和

基体层分离工序，将配置于所述被接合基板的基体层的与该被接合基板相反一侧沿所述分离层分离，形成半导体元件部，

所述半导体装置的制造方法包括凹部形成工序，对所述平坦化膜和所述被接合基板中的至少一个的表面进行蚀刻，在该表面形成凹部。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述分离层形成工序中，对所述基体层注入分离用离子，

在所述分离层形成工序之后进行所述凹部形成工序。