[发明专利]热固型芯片接合薄膜无效
申请号: | 200980152612.X | 申请日: | 2009-12-22 |
公开(公告)号: | CN102265388A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 林美希;高本尚英;大西谦司 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;C09J7/00;C09J11/04;C09J133/04;C09J161/06;C09J163/00;H01L21/301 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 王海川;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热固型 芯片 接合 薄膜 | ||
1.一种热固型芯片接合薄膜,在半导体装置的制造时使用,其中,
至少含有环氧树脂、酚醛树脂、丙烯酸类共聚物及填料,
80℃~140℃下的热固化前的储能模量在10kPa~10MPa的范围内,
175℃下的热固化前的储能模量在0.1MPa~3MPa的范围内。
2.如权利要求1所述的热固型芯片接合薄膜,其中,
设所述环氧树脂和酚醛树脂的合计重量为X重量份、丙烯酸类共聚物的重量为Y重量份时,比率X/Y为0.11~4。
3.如权利要求1或2所述的热固型芯片接合薄膜,其中,
设所述环氧树脂、酚醛树脂和丙烯酸类共聚物的合计重量为A重量份、填料的重量为B重量份时,B/(A+B)为0.8以下。
4.如权利要求1至3中任一项所述的热固型芯片接合薄膜,其中,
所述环氧树脂为具有芳香环的环氧树脂,
所述酚醛树脂为苯酚酚醛清漆树脂、苯酚联苯树脂或苯酚芳烷基树脂中的至少任意一种,
所述丙烯酸类共聚物为含羧基丙烯酸类共聚物或含环氧基丙烯酸类共聚物中的至少任意一种。
5.如权利要求1至4中任一项所述的热固型芯片接合薄膜,其中,
所述填料的平均粒径在0.005μm~10μm的范围内。
6.如权利要求1至5中任一项所述的热固型芯片接合薄膜,其中,
所述环氧树脂的重均分子量在300~1500的范围内。
7.如权利要求1至6中任一项所述的热固型芯片接合薄膜,其中,
所述酚醛树脂的重均分子量在300~1500的范围内。
8.如权利要求1至7中任一项所述的热固型芯片接合薄膜,其中,
所述丙烯酸类共聚物的重均分子量在10万~100万的范围内。
9.如权利要求1至8中任一项所述的热固型芯片接合薄膜,其中,
玻璃化转变温度在10℃以上且50℃以下的范围内。
10.一种切割/芯片接合薄膜,其具有在切割薄膜上层叠有权利要求1至9中任一项所述的热固型芯片接合薄膜的结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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