[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体装置，具备：

第一氮化物半导体层，其形成在基板上；

缺陷导入层，其形成在所述第一氮化物半导体层上；和

第二氮化物半导体层，其在所述缺陷导入层上接触地形成，并具有用于露出所述缺陷导入层的开口部，

所述缺陷导入层与所述第一氮化物半导体层以及第二氮化物半导体层相比，结晶缺陷密度大。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置，其中，

所述缺陷导入层的结晶缺陷密度为2.9×10⁷cm^-2以上，

所述第二氮化物半导体层的结晶缺陷密度为2.6×10⁷cm^-2以下。

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置，其中，

还具备δ掺杂层，其形成在所述第一氮化物半导体层和所述缺陷导入层之间，并且杂质被δ掺杂。

4.根据权利要求3所述的氮化物半导体装置，其中，

所述δ掺杂层包含1.3×10¹⁹cm^-3以上的硅。

5.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置，其中，

所述缺陷导入层包含n型的杂质。

6.根据权利要求5所述的氮化物半导体装置，其中，

所述缺陷导入层的硅的掺杂量是2×10¹⁹cm^-3以上，

所述第二氮化物半导体层的硅的掺杂量是4×10¹⁸cm^-3以下。

7.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置，其中，

所述缺陷导入层包含p型的杂质。

8.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置，其中，

还具备在所述第二氮化物半导体层上按照填埋所述开口部的方式形成的第三氮化物半导体层，

所述第一氮化物半导体层包含活性层以及形成在该活性层与所述缺陷导入层之间的第一p型导光层，

所述第二氮化物半导体层是n型电流阻挡层，

所述第三氮化物半导体层包含第二p型导光层，

所述氮化物半导体装置作为半导体激光器装置发挥功能。

9.根据权利要求8所述的氮化物半导体装置，其中，

所述缺陷导入层的膜厚为0.25nm以上且10nm以下。

10.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置，其中，还具备：

栅极电极，其在所述开口部中形成在所述缺陷导入层上；

欧姆电极，其形成在所述栅极电极的两侧；和

沟道层，其形成在所述基板与所述第一氮化物半导体层之间，

所述氮化物半导体装置作为晶体管发挥功能。

11.根据权利要求10所述的氮化物半导体装置，其中，

所述缺陷导入层的膜厚是0.25nm以上且30nm以下。

12.一种氮化物半导体装置的制造方法，具备以下工序：

工序a，在基板上结晶生长第一氮化物半导体层；

工序b，在所述第一氮化物半导体层上形成缺陷导入层；

工序c，在所述缺陷导入层上结晶生长第二氮化物半导体层；和

工序d，通过对所述第二氮化物半导体层选择性地进行光化学蚀刻，形成用于露出所述缺陷导入层的开口部，

所述缺陷导入层与所述第一氮化物半导体层以及第二氮化物半导体层相比，结晶缺陷密度大。

13.根据权利要求12所述的氮化物半导体装置的制造方法，其中，

在所述工序b中，通过提供杂质的同时进行结晶生长来形成所述缺陷导入层，

向所述缺陷导入层的杂质导入量比向所述第二氮化物半导体层的杂质导入量多。

14.根据权利要求13所述的氮化物半导体装置的制造方法，其中，

在所述工序b中，在所述缺陷导入层中导入2×10¹⁹cm^-3以上的硅，

在所述工序c中，使导入所述第二氮化物半导体层中的硅的量为4×10¹⁸cm^-3以下。