[发明专利]用于物理不可复制功能的物理结构

权利要求书

1.一种半导体器件，包括用于物理不可复制功能的物理结构(50)，其中所述物理结构(50)包括钛酸铅锆层(25)以及在所述钛酸铅锆层(25)上沉积的含硅电介质层(27)，其中所述含硅电介质层(27)具有粗糙的表面(SR)，所述物理结构(50)还包括设置在所述含硅电介质层(27)的粗糙表面(SR)上的导电层(30)。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电层(30)包括多个导体，用于形成供物理不可复制功能使用的多个电学元件。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中将所述多个导体形成为供物理不可复制功能使用的电阻。

4.根据任一前述权利要求所述的半导体器件，其中所述物理结构(50)还包括另一导电层(20)，在所述另一导电层上设置了钛酸铅锆层(25)，用于在所述导电层(30)和所述另一导电层(20)之间形成至少一个电容器。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述含硅电介质层(27)局部上是平坦的，用于形成参考电容器(Cref1)。

6.根据权利要求4或5所述的半导体器件，其中所述导电层(31)局部地直接设置在所述钛酸铅锆层(27)上，用于形成另一参考电容器(Cref2)。

7.根据任一前述权利要求所述的半导体器件，其中所述半导体器件包括衬底(5)和集成到所述衬底(5)中的电路。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述衬底(5)包括半导体本体和设置在所述半导体本体上的互连叠层，其中所述电路包括电子部件和所述电子部件之间的互连，其中所述电子部件集成到所述半导体本体中，并且其中所述互连集成到所述互连叠层中。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述物理结构(50)已集成到所述互连叠层中。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述物理结构(50)已集成到所述互连叠层上。

11.根据任一前述权利要求所述的半导体器件，其中含硅电介质层(27)包括从包括以下材料的组中选择的材料：氮化硅、氧化硅和氮氧化硅。

12.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括用于物理不可复制功能的物理结构(50)，所述方法包括：

提供钛酸铅锆层(25)；

使用气相沉积技术在所述钛酸铅锆层(25)上沉积含硅电介质层(27)，用于获得具有粗糙表面(SR)的含硅电介质层(27)；以及

在所述含硅电介质层(27)上提供导电层(30)。

13.根据权利要求12所述的方法，其中通过在200℃至500℃的范围内设置特定的气相沉积温度来控制所述粗糙表面(SR)的粗糙度。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所使用的气相沉积技术是包括以下技术的组中的一种技术：化学气相沉积和原子层沉积。

15.一种卡或者RFID标签，包括权利要求1至11中任一项所述的半导体器件。