[发明专利]电子器件用外延基板及其生产方法

权利要求书

1.一种电子器件用外延基板，其包括：Si单晶基板；和通过在所述Si单晶基板上外延生长多个III族氮化物层而形成的III族氮化物层压体，其中将所述外延基板的横向定义为主电流传导方向，所述电子器件用外延基板的特征在于：

所述Si单晶基板为具有不大于0.01Ω·cm电阻率值的p-型基板。

2.根据权利要求1所述的电子器件用外延基板，其中所述外延基板的截面翘曲形状满足以下关系式：

||Bow|-SORI|≤2μm。

3.根据权利要求1或2所述的电子器件用外延基板，其中所述外延基板的截面翘曲形状在所述外延基板整个宽度上单调地弯曲。

4.根据权利要求1至3任一项所述的电子器件用外延基板，其中所述Si单晶基板以10¹⁹/cm³以上的浓度包含作为杂质元素的硼。

5.根据权利要求1至4任一项所述的电子器件用外延基板，在所述Si单晶基板和所述III族氮化物层压体之间进一步包括作为绝缘层的缓冲层。

6.根据权利要求5所述的电子器件用外延基板，其中所述缓冲层包括由超晶格多层结构构成的层压结构。

7.一种电子器件用外延基板的生产方法，其中通过在Si单晶基板上外延生长多个III族氮化物层而形成III族氮化物层压体，从而将所述基板的横向定义为主电流传导方向，所述方法包括：

通过以较高浓度向所述Si单晶基板添加硼，使所述Si单晶基板形成为具有不大于0.01Ω·cm电阻率值的p-型基板。

8.根据权利要求7所述的电子器件用外延基板的生产方法，其中以10¹⁹/cm³以上的浓度添加硼。

9.根据权利要求7或8所述的电子器件用外延基板的生产方法，其进一步包括：

在所述III族氮化物层压体形成之前，在所述Si单晶基板上形成作为绝缘层的缓冲层，所述缓冲层包括由超晶格多层结构构成的层压结构；和

在所述缓冲层上形成具有HEMT结构的所述III族氮化物层压体。