[发明专利]混合型透明导电电极无效
申请号: | 200980153399.4 | 申请日: | 2009-10-30 |
公开(公告)号: | CN102365753A | 公开(公告)日: | 2012-02-29 |
发明(设计)人: | H.F.普恩;M.R.鲁滨逊;C.厄本;J.K.J.范杜伦;J.R.希茨 | 申请(专利权)人: | 纳米太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/05 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 混合 透明 导电 电极 | ||
1.一种方法,所述方法包括,
形成一种太阳能电池,其包括:a)用导电材料制成的比通常厚度要薄的 透明顶电极,其厚度为50nm或更小,和b)相互连接的纳米线形成的网, 其与该顶电极相接触和/或被该顶电极覆盖。
2.如权利要求1所述的方法,其中与另一电池相比,该顶电极和纳米线 网提高了该太阳能电池的总功率输出;除了以下不同外,该另一电池与该电 池完全相同:其仅使用a)该材料制成的顶电极层,其厚度和透光率等于该 顶电极与该纳米线网的合计厚度和透光率,或b)相互连接的纳米线网,其 厚度等于该合计厚度和透光率。
3.如权利要求1所述的方法,其中该纳米线仅使用溶剂简单涂覆,而不 用粘合剂。
4.如权利要求3所述的方法,进一步包括随后使用粘合剂在其上涂覆该 纳米线。
5.如权利要求4所述的方法,其中该粘合剂为导电聚合物。
6.如权利要求1所述的方法,其中该纳米线被覆盖于该太阳能电池之 上,随后使用计示硬度值为50-100的硬辊将其压入该太阳能电池之中,由 此不需使用热退火处理。
7.如权利要求1所述的方法,其中从该透明顶电极之任何位置至该网中 最近纳米线的最大距离范围为1至10微米。
8.如权利要求1所述的方法,其中从该透明顶电极之任何位置至该网中 最近纳米线的最大距离范围为2至5微米。
9.如权利要求1所述的方法,其中不带该纳米线的该透明顶电极的电阻 为至少大约每方块500欧姆或更高。
10.如权利要求1所述的方法,其中不带该纳米线的该透明顶电极的电 阻为至少大约每方块300欧姆或更高。
11.如权利要求1所述的方法,包括将该透明顶电极材料溅镀至该纳米 线上。
12.如权利要求1所述的方法,其中随机放置该纳米线。
13.如权利要求1所述的方法,其中通过压力使该纳米线与该透明顶电 极耦合,而不采用退火步骤,从而将该纳米线连接形成一渗滤网。
14.如权利要求1所述的方法,其中该纳米线与该透明顶电极耦合,而 不需加热高于150℃。
15.如权利要求1所述的方法,其中该纳米线与该透明顶电极耦合,而 不需加热高于100℃。
16.如权利要求1所述的方法,其中带有该纳米线网层的该顶电极的透 光率为至少90%。
17.一种方法,所述方法包括,
形成一光伏吸收层和一结配合层;
形成具有第一厚度的混合型透明导电层,该层包括:
用于从该结配合层汇集电荷的各向同性层;
与该各向同性层接触的纳米线网层;
其中,与另一电池相比,该混合型透明导电层提高该太阳能电池的总光 伏效率;该另一电池仅使用a)其厚度等于第一厚度的各向同性层,或b)其 厚度等于第一厚度的纳米线网层。
18.如权利要求17所述的方法,其包括:
其中该混合型透明导电层具有50nm或更少的厚度,且比通常的透明顶 电极薄,其中不带该纳米线的该混合型透明导电层的电阻为大于每方块200 欧姆。
19.如权利要求17所述的方法,其中该混合型透明导电电极的透光率为 至少90%。
20.如权利要求17所述的方法,其中该纳米线被覆盖于该太阳能电池之 上,随后使用计示硬度值为85的硬辊将其压入该太阳能电池之中,由此不 需使用热退火处理。
21.如权利要求17所述的方法,其中该各向同性层与该吸收层的上表面 形状一致。
22.如权利要求17所述的方法,其中该各向同性层具有至少一个底表 面,其与该吸收层的上表面形状一致地保持接触,从而该各向同性层可以从 该吸收层汇集电荷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的