[发明专利]与电压无关的电源负载分配的方法和系统

权利要求书

1.一种用于双电源的负载分配的系统，所述系统包括：

第一电流源通路，所述第一电流源通路联接到第一电源；

第二电流源通路，所述第二电流源通路联接到第二电源；

系统负载，所述系统负载联接到所述第一电流源通路和所述第二电流源通路两者的输出以接收第一电流源和第二电流源；和

电流平衡控制元件，所述电流平衡控制元件被构造用以基于流过所述第一电流源通路的第一电流产生第一控制信号和基于流过所述第二电流源通路的第二电流产生第二控制信号，其中

所述第一控制信号用以控制沿所述第一电流源通路的第一电压降，

所述第二控制信号用以控制沿所述第二电流源通路的第二电压降使得相应的第一电流源和第二电流源得以平衡。

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，

所述电流平衡控制元件具有同相输入和反相输入；

所述电流平衡控制元件的所述同相输入对应于标识流过所述第一电流源通路的所述第一电流的信号；和

所述电流平衡控制元件的所述反相输入对应于标识流过所述第二电流源通路的所述第二电流的信号。

3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，

所述第一电流源通路包括：

第一可调节电压降元件，所述第一可调节电压降元件的电压降由所述第一控制信号控制；和

第一电流感测元件，所述第一电流感测元件被构造用以检测所述第一电流并将关于所述第一电流的信息提供到所述电流平衡控制元件。

4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，

所述第一电流感测元件连接在所述第一可调节电压降元件与所述第一电流源之间；或者连接在所述第一电源与所述第一可调节电压降元件之间。

5.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，

所述第一可调节电压降元件包括：

第一器件，所述第一器件构造用以提供第一可调节电压降；

第一伺服放大器，所述第一伺服放大器的反相输入联接到所述电流平衡控制元件的同相输入和系统负载并且其输出连接到所述用于调节所述第一可调节电压降第一器件的控制端子；和

第一指令电压源，所述第一指令电压源以所述第一控制信号作为其输入，并联接到所述第一电源和所述第一伺服放大器的同相输入，其中

所述第一指令电压源由来自所述电流平衡控制元件的第一控制信号控制，和

所述伺服放大器用于根据所述第一指令电压源的值调节所述第一可调节电压降。

6.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，

所述第一器件是N-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，并且所述第一器件的栅极连接到所述伺服放大器的输出。

7.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，

所述第一器件包括多个串联联接的N沟道MOSFET，其中

所述多个N沟道MOSFET中的第一个的源极联接到所述第一电源，

所述多个N沟道MOSFET中的最后一个的漏极联接到所述第一电流感测元件，和

全部中间的N沟道MOSFET的源极分别连接到上一个N沟道MOSFET的漏极并且它们的漏极分别连接到下一个N沟道MOSFET的源极，和

所述多个N沟道MOSFET的栅极端子连接到所述伺服放大器的输出。

8.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，

所述第一器件包括两个反向(back-to-back)连接的N沟道MOSFET，其中所述反向(back-to-back)连接的N沟道MOSFET是

源极到源极连接的；或者

漏极到漏极连接的。

9.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，

第一反向(back-to-back)连接的N沟道MOSFET和第二反向(back-to-back)连接的N沟道MOSFET的栅极被连接在一起并连接到所述伺服放大器的输出。

10.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，

所述第一器件基于一个或多个结型场效应晶体管(JFET)实现。

11.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，

所述第一指令电压源是最有最小电压基准的内建的电压基准。