[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于：

该半导体装置包括：

鳍式半导体区域，该鳍式半导体区域形成在衬底上且该鳍式半导体区域的两侧部具有延伸区域，

栅电极，该栅电极形成为跨越所述鳍式半导体区域并与所述延伸区域相邻，以及

电阻区域，该电阻区域形成在与所述栅电极相邻的区域的所述鳍式半导体区域的上部；

所述电阻区域具有比所述延伸区域高的电阻率。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述半导体装置还包括栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜形成在所述鳍式半导体区域上，位于所述栅电极和所述鳍式半导体区域之间。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述半导体装置还包括绝缘性侧壁间隔膜，该绝缘性侧壁间隔膜形成为覆盖所述栅电极的侧面；

所述电阻区域位于所述绝缘性侧壁间隔膜的下表面。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述电阻区域实质上形成在除位于所述栅电极下方的部分以外的所述鳍式半导体区域的所述上部。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述电阻区域形成在从所述栅电极沿侧向延伸的所述鳍式半导体区域的所述上部。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述电阻区域实质上形成在从所述栅电极沿侧向延伸的所述鳍式半导体区域的所述上部。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

在接通状态下电流所流过的沟道形成在由所述栅电极覆盖的所述鳍式半导体区域的所述两侧部。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：

所述电阻区域设置成对在所述接通状态下流过所述鳍式半导体区域的所述上部的电流进行限制。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：

在所述接通状态下流过所述沟道的电流大于流过所述电阻区域的电流。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

在工作时所述鳍式半导体区域的所述上部不作为沟道起作用。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

在接通状态下流动的电流实质上均匀地流过由所述栅电极覆盖的所述鳍式半导体区域的所述两侧部。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述电阻区域具有非晶区域。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于：

所述非晶区域含有结晶抑制元素。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于：

所述结晶抑制元素为锗、氩、氟或氮。

15.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

向所述电阻区域导入导电型与所述延伸区域相反的杂质。

16.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述鳍式半导体区域形成在绝缘层上，所述绝缘层形成在所述衬底上。

17.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

半导体装置形成有覆盖所述栅电极的两侧面、所述延伸区域和所述电阻区域的绝缘性侧壁间隔膜；

在从所述栅电极看过去所述绝缘性侧壁间隔膜外侧区域的所述鳍式半导体区域中的至少两侧部形成有源极/漏极区域。

18.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述鳍式半导体区域侧面的高度大于所述鳍式半导体区域上表面在栅极宽度方向上的宽度。