[发明专利]对空间和温度变化的敏感性减少的感测电路和方法

权利要求书

1.一种感测电路，包括：

感测器件(104)；

感测晶体管(287)，耦合到所述感测器件，所述感测晶体管具有阈值电压；

第一开关(288)，耦合到所述感测晶体管和所述感测器件，所述第一开关使所述感测器件被充电至第一电压，所述第一电压为所述感测晶体管的所述阈值电压的函数；以及

一个或多个第二开关(282，293，291，289)，耦合到所述感测器件和目标元件(10)，所述一个或多个第二开关将所述感测器件耦合到所述目标元件以修改所述感测器件上的所述第一电压，所述一个或多个第二开关在向所述感测晶体管施加修改后的第一电压的感测阶段期间将所述目标元件与所述感测器件去耦合；

基于所述感测晶体管是否响应于向所述感测晶体管施加修改后的第一电压而接通来确定所述目标元件(10)的状况。

2.如权利要求1所述的感测电路，其中所述目标元件为与位线关联的非易失性存储元件，并且还包括在所述第一开关使所述感测器件被充电至所述第一电压的同时对所述位线预充电的预充电电路。

3.如权利要求2所述的感测电路，其中所述一个或多个第二开关在所述感测器件被充电至所述第一电压时将所述预充电电路与所述感测器件去耦合。

4.如权利要求2或3所述的感测电路，其中：

向所述预充电电路施加第二电压作为供给电压；并且

在所述感测器件被充电至所述第一电压时向所述感测晶体管施加第三电压，所述第三电压大于所述第二电压。

5.如权利要求4所述的感测电路，其中：

所述第三电压在所述感测阶段之前被减少至所述第二电压，从而所述第三电压在所述感测阶段期间等于所述第二电压。

6.如权利要求4或5所述的感测电路，其中所述第三电压在对所述感测器件充电时等于所述第二电压加上偏移电压而在向所述感测晶体管施加修改后的第一电压时等于所述第二电压。

7.如权利要求6所述的感测电路，其中所述偏移电压近似于所述感测晶体管的接通电压。

8.如权利要求1至7中的任一权利要求所述的感测电路，其中：

所述感测晶体管具有栅极、源极和漏极；

所述感测器件耦合到所述感测晶体管的所述栅极；

所述感测晶体管的所述源极耦合到充电电压；并且

所述第一开关将所述栅极连接到所述漏极以便提供用于对所述感测器件充电的路径。

9.一种感测方法，所述方法包括：

将感测器件(104)充电至第一电压(VDD_SA+Vt0)，所述第一电压为感测晶体管(287)的阈值电压的函数；

将所述感测器件(104)耦合到目标元件(10)以修改所述感测器件上的所述第一电压；

向所述感测晶体管(287)施加修改后的第一电压；并且

基于所述感测晶体管是否响应于向所述感测晶体管施加修改后的第一电压而接通来确定所述目标元件的状况。

10.如权利要求9所述的方法，还包括在将所述感测器件充电至所述第一电压的同时对位线预充电，所述目标元件为非易失性存储元件，所述位线与所述非易失性存储元件关联。

11.如权利要求9或10所述的方法，其中所述将感测器件充电至第一电压包括将所述感测晶体管的栅极连接到漏极，所述感测器件耦合到所述感测晶体管的所述栅极，所述感测晶体管的源极耦合到充电电压。

12.如权利要求9至11中的任一权利要求所述的方法，还包括在向所述感测晶体管施加修改后的第一电压之前将所述充电电压减少至供给电压。

13.如权利要求9至12中的任一权利要求所述的方法，其中所述将所述感测器件耦合到目标元件包括：

在用于对所述感测器件上的电压放电的时间段内将来自所述目标元件的信号耦合到所述感测器件。

14.一种用于感测的设备，所述设备包括：

将感测器件(104)充电至第一电压(VDD_SA+Vt0)的装置，所述第一电压为感测晶体管(287)的阈值电压的函数；

将所述感测器件(104)耦合到目标元件(10)以修改所述感测器件上的所述第一电压的装置；

向所述感测晶体管(287)施加修改后的第一电压的装置；以及

基于所述感测晶体管是否响应于向所述感测晶体管施加修改后的第一电压而接通来确定所述目标元件的状况的装置。