[发明专利]传感器装置和用于制造传感器装置的方法无效

专利信息
申请号: 200980154124.2 申请日: 2009-11-25
公开(公告)号: CN102272569A 公开(公告)日: 2011-12-07
发明(设计)人: H·本泽尔;R·京舍尔;H·京舍尔 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: G01L9/00 分类号: G01L9/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 侯鸣慧
地址: 德国斯*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 传感器 装置 用于 制造 方法
【权利要求书】:

1.传感器装置(1),尤其是压力传感器装置,包括一个具有主延伸平面(100)的衬底(2)和一个基本上平行于所述主延伸平面(100)定向的传感器元件(3),其中,所述衬底(2)包括陶瓷材料,所述衬底(2)具有至少一个印制导线(6)并且所述传感器元件(3)在第一接触区域(4)中借助倒装芯片技术与所述至少一个印制导线(6)导电地连接,其特征在于,所述传感器元件(3)在第二接触区域(5)中与所述衬底(2)机械地连接,其中,在所述第二接触区域(5)中设置有一阳极键合连接部。

2.根据权利要求1所述的传感器装置(1),其特征在于,所述传感器元件(3)具有一压力膜(7),其中,优选在所述压力膜(7)的区域中设置有一个具有基准压力(11)的空穴(14)。

3.根据以上权利要求中任一项所述的传感器装置(1),其特征在于,所述第二接触区域(5)被构成为至少一个键合环(5’),其中,优选所述至少一个键合环(5’)的垂直于所述主延伸平面(100)的投影被设置成包围所述压力膜(7)。

4.根据以上权利要求中任一项所述的传感器装置(1),其特征在于,所述传感器元件(3)具有一电路(8),所述电路设置在所述传感器元件(3)的垂直于所述主延伸平面(100)地面向所述衬底(2)的第一侧(3’)上。

5.根据以上权利要求中任一项所述的传感器装置(1),其特征在于,在所述衬底(2)与所述压力膜(7)之间包围一个另外的基准压力(11’)。

6.根据以上权利要求中任一项所述的传感器装置(1),其特征在于,所述衬底(2)包括一个层结构和/或所述衬底(2)在所述压力膜(7)的区域中具有一个通道(13)。

7.根据以上权利要求中任一项所述的传感器装置(1),其特征在于,所述衬底(2)和/或所述传感器元件(3)具有一个抗附着覆层(10)。

8.用于制造根据以上权利要求中任一项所述的传感器装置(1)的方法,其特征在于,在第一方法步骤中提供所述衬底(2)和所述传感器元件(3),其中,在第二方法步骤中基本上同时地不仅借助倒装芯片技术在所述传感器元件(3)与所述至少一个印制导线(6)之间建立所述第一接触区域(4),而且通过阳极键合在所述传感器元件(3)与所述衬底(2)之间建立所述第二接触区域(5)。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,在所述第二方法步骤中不仅在所述传感器元件(3)与所述衬底(2)之间施加直流电压,而且在所述传感器元件(3)与所述衬底(2)之间的一个区域中执行温度升高、优选借助超声波辐射执行温度升高。

10.根据权利要求8或9所述的方法,其特征在于,在时间上在所述第二方法步骤之前的第三方法步骤中将可阳极键合的玻璃陶瓷膏印到所述衬底(2)上。

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