[发明专利]用于电子器件的化合物有效
申请号: | 200980154320.X | 申请日: | 2009-12-22 |
公开(公告)号: | CN102272966A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 阿尔内·比辛;霍尔格·海尔;菲利普·施特塞尔;埃米尔·侯赛因·帕勒姆;罗科·福特;乔纳斯·瓦伦丁·克罗巴 | 申请(专利权)人: | 默克专利有限公司 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 张珂珂;郭国清 |
地址: | 德国达*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电子器件 化合物 | ||
技术领域
本发明涉及通式(1)的化合物,及其在电子器件中的用途,以及包括这些化合物的电子器件。
背景技术
有机电致发光器件的一般结构例如描述在US 4539507、US 5151629、EP 0676461和WO 98/27136中。然而,仍需要改进这些器件:
1.仍应该改进效率,特别是在荧光OLED的情况下。
2.使用寿命仍很短,特别在发蓝色光的情况下,因此在这一点上仍需要改进。
3.工作电压相当高,特别是在荧光OLED情况下,因此应进一步降低以改进功率效率。这特别是对于移动式应用是至关重要的。在这方面希望进一步改进,特别是在电荷传输材料的情况下。
4.在现有技术的空穴传输材料的情况下,电压取决于空穴传输层的层厚度。在实践中,通常希望空穴传输层具有较大的层厚度。然而,由于伴随电压增加,使用现有技术的材料不能实现该目的。
5.用于有机电致发光器件中现有技术的许多材料往往在制造电致发光器件的过程中在气相沉积源上结晶,因此阻塞气相沉积源。因此,这些材料只有在技术复杂性增加的情况下才能用于大规模生产中。
芳基胺用作空穴传输和空穴注入材料。该类型基于茚并芴的材料例如公开在WO 06/100896和WO 06/122630中。上面描述的茚并芴胺存在加工性方面的缺点:在气相沉积或涂覆期间,会发生过早的沉积,因此使工业过程复杂化。另外,空穴传输材料通常具有低的电子稳定性,导致在操作中相关的二极管寿命很短。在这一点上仍需要改进。
此外,喹吖啶衍生物及其在电子器件中的用途公开在WO 07/064104中。
发明内容
本发明描述了特别是用于电致发光器件中发光和/或空穴传输和/或空穴注入层中,作为具有发光和空穴传输性能的新种类材料的哌啶衍生物和相关的杂环衍生物。
令人惊讶地,与现有技术相比使用本发明的化合物产生了改进。此处最重要的是工作电压的降低,同时空穴迁移率升高和寿命改进,这可能由于通过升高LUMO能级而得以实现的电子稳定性的增加。另外,由于其柔性的几何结构该类别比现有技术的芳基胺显示较低的趋于结晶的倾向。
此外,已经发现本发明的化合物非常高度地适合用于包括磷光发光体的有机电致发光器件中。当在包括磷光发光体器件的空穴传输层或发光层中使用通式(1)的化合物时获得了特别有利的电致发光器件寿命和能量效率的结果。
因此,本发明涉及通式(1)的化合物,
其中以下适用于使用的符号和标记:
X在每次出现时相同或不同地是选自B(R1)、C(R1)2、Si(R1)2、C=O、C=NR1、C=C(R1)2、O、S、S=O、SO2、N(R1)、P(R1)和P(=O)R1的二价桥连基。
Ar1是具有10至40个芳环原子的芳族环系或具有5至40个芳环原子的杂芳族环系,它们每个可被一个或多个基团R1取代;
Ar2至Ar5在每次出现时相同或不同地是具有5至40个芳环原子的芳族或杂芳族环系,它们在每种情况下可被一个或多个基团R1取代;
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