[发明专利]电子传输材料及其制备方法

说明书

背景

总体而言，本发明涉及化合物，具体而言，涉及化合物、使用其例如作为电子传输材料的光电器件及其制造方法。

预期利用在经受偏压时发光的薄膜材料的光电器件例如有机发光器件(OLEDs)将成为平板显示技术的日益受欢迎的形式。这是因为OLEDs具有广泛的潜在应用，包括蜂窝电话、个人数字助理(PDAs)、计算机显示器、车载信息显示器、电视监视器以及用于一般照明的光源。由于其颜色明亮、视角宽、与全动视频相容、温度范围广、形状因子薄且适合、动力需求低且具有用于低成本制造工艺的潜能，所以OLEDs被看作是阴极射线管(CRTs)和液晶显示器(LCDs)的未来替代技术。由于其发光效率高，因此对于某些类型的应用来说，OLEDs被看作具有替代白炽灯和或许甚至荧光灯的潜能。

OLEDs具有夹层结构，其由在两个相对电极之间的一个或多个有机层组成。例如，多层器件通常包括至少三层：空穴注入/传输层、发光层及电子传输层(ETL)。此外，还优选所述空穴注入/传输层充当电子阻挡层且ETL充当空穴阻挡层。单层OLEDs在两个相对电极之间仅包含单层材料。

发明简述

一方面，本发明涉及式I化合物：

其中

R¹和R²在每次出现时独立地为H、C₁-C₂₀脂族基团、C₃-C₂₀芳族基团或C₃-C₂₀脂环族基团；

a为0-2的整数；

b为1或2；

c为0-4的整数；且

Ar¹和Ar²独立地为杂芳基。

另一方面，本发明涉及包含至少一种式I化合物的光电器件，特别地讲，其中所述化合物存在于电子传输层中。

又一方面，且本发明涉及方法，其包括：

使式A化合物与吡啶基硼酸或吡啶基硼酸酯反应以形成式B化合物；和

使式B化合物与吡啶基二卤化物化合以形成式C化合物；

其中

R³、R⁴、R⁵、R⁶和R⁷在每次出现时独立地为C₁-C₂₀脂族基团、C₃-C₂₀芳族基团或C₃-C₂₀脂环族基团；

X在每次出现时独立地为CH或N；

Y为氯或溴；

Z为溴或碘；且当Y为溴时，Z为碘；

d、e和g在每次出现时独立地为0-4的整数；

f为0-2的整数；且

h为0-3的整数。

发明详述

式I化合物具有可用于例如有机发光器件(OLEDs)的光电器件中的性质且特别适合用于其电子传输层中。所述杂芳基可为吸电子/缺电子基团且可包含多个芳环或多个未稠合的芳环。所述吸电子/缺电子的杂芳基可为吡啶基、嘧啶基、喹啉基、异喹啉基、菲基、吲哚基、异吲哚基、咔唑基、氮杂咔唑基、噻吩基、苯并噻吩基、噻唑基、苯并噻唑基、萘啶基、噻吩基、呋喃基、哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基、噻唑基或唑基。在一些实施方案中，Ar¹可为吡啶基或在一些实施方案中，Ar²可为吡啶基。

一方面，本发明涉及式II化合物和使用其的光电器件：

又一方面，本发明涉及式III-IV化合物和使用其的任一种或任何组合的光电器件：

又一方面，本发明涉及用于制备式C化合物的方法，所述方法包括：

使式A化合物与吡啶基硼酸或吡啶基硼酸酯反应以形成式B化合物；和

使式B化合物与吡啶基二卤化物化合以形成式C化合物；

其中