[发明专利]具有边缘光提取的拼接OLED装置

权利要求书

1.一种区域发射发光二极管(LED)装置，该区域发射发光二极管装置包括：

a)基板，其具有内基板表面、与该内基板表面相对的外基板表面、以及基板边缘；

b)形成在所述内基板表面上的区域发射LED像素的阵列，在所述基板边缘与所述内基板表面上最靠近所述基板边缘的LED像素之间具有边缘间隙；以及

c)光提取结构，其被形成在所述边缘间隙中并且至少部分地在所述LED像素的外部。

2.根据权利要求1所述的区域发射发光二极管装置，其中，所述光提取结构是漫射器、散射层、一个或更多个小透镜、亮度增强过滤器、光栅、反射或折射元件或者光子晶体。

3.根据权利要求1所述的区域发射发光二极管装置，其中，与所述光提取结构相组合地形成有反射表面。

4.根据权利要求1所述的区域发射发光二极管装置，其中，所述光提取结构位于所述外基板表面上或所述外基板表面中、位于所述内基板表面上或所述内基板表面中，或者位于所述基板边缘上或所述基板边缘中。

5.根据权利要求1所述的区域发射发光二极管装置，其中，所述像素穿过所述基板发射光，并且该区域发射发光二极管装置还包括附接到所述外基板表面的圆偏光器。

6.根据权利要求1所述的区域发射发光二极管装置，其中，所述光提取结构还被形成在最靠近所述基板边缘的像素之间。

7.根据权利要求1所述的区域发射发光二极管装置，该区域发射发光二极管装置还包括在所述LED像素中的至少一些与所述内基板表面之间的层中形成的滤色器，或者还包括在所述LED像素中的至少一些的与所述内基板表面相对的一侧上的层中形成的滤色器。

8.根据权利要求1所述的区域发射发光二极管装置，其中，所述边缘间隙大于相邻像素之间的距离。

9.根据权利要求1所述的区域发射发光二极管装置，该区域发射发光二极管装置还包括控制器，该控制器用于通过与所述阵列中的其它LED像素相比经减小的电流来驱动最靠近所述基板边缘的至少一个LED像素。

10.根据权利要求1所述的区域发射发光二极管装置，其中，所述基板边缘的至少一部分是相对于所述内基板表面或所述外基板表面以除90度角以外的角度形成的有角度表面。

11.根据权利要求10所述的区域发射发光二极管装置，其中，所述有角度表面是倾斜的或部分倾斜的，以形成相对于所述内基板表面或所述外基板表面具有0度角至90度角之间的角度的平坦表面。

12.根据权利要求10所述的区域发射发光二极管装置，其中，所述有角度表面具有55度角至65度角之间的角度。

13.根据权利要求10所述的区域发射发光二极管装置，其中，所述有角度表面是光学表面，使得所述LED像素中的至少一些被成像在所述边缘间隙的区域中。

14.根据权利要求10所述的区域发射发光二极管装置，其中，所述有角度表面是弯曲的。

15.根据权利要求1所述的区域发射发光二极管装置，该区域发射发光二极管装置还包括盖，该盖具有粘接到所述内基板表面的内盖表面、与所述内盖表面相对的外盖表面，并具有盖边缘，并且其中，所述光提取结构位于所述内盖表面、所述外盖表面或盖边缘上。

16.根据权利要求15所述的区域发射发光二极管装置，其中，所述盖是透明的，并且所述像素穿过所述盖发射光，并且该区域发射发光二极管装置还包括粘接到所述外盖表面的圆偏光器。

17.一种区域发射发光装置，该区域发射发光装置具有由权利要求1所述的多个区域发射发光二极管形成的拼块，并且其中，邻接拼块的基板边缘毗邻。

18.根据权利要求17所述的区域发射发光装置，其中，各个拼块的所述基板边缘的至少一部分具有相对于该拼块的所述内基板表面或所述外基板表面以除90度角以外的角度形成的有角度表面，并且这些拼块的毗邻的基板边缘具有平行的表面。

19.根据权利要求17所述的区域发射发光装置，其中，各个拼块的所述基板边缘的至少一部分具有相对于所述拼块的所述内基板表面或所述外基板表面以除90度角以外的角度形成的有角度表面，并且这些拼块的所述毗邻的基板边缘具有以该相同的角度形成的有角度表面。