[发明专利]回收高沸点废料的方法无效
| 申请号： | 200980154642.4 | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102282152A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | J·A·布林桑;威廉·帕特里克·布拉迪 | 申请（专利权）人： | 道康宁公司 |
| 主分类号： | C07F7/12 | 分类号： | C07F7/12 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 武晶晶;郑霞 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 回收 沸点 废料 方法 | ||
1.一种方法，包括：
a)合并含有催化量的原位催化剂的第一方法残渣和不含有催化量的原位催化剂的第二方法残渣；以及
b)使步骤a)的产物与氢气接触，从而产生包含甲硅烷的产物。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一方法残渣是甲基氯甲硅烷方法残渣。
3.如权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述第二方法残渣是HSiCl3方法残渣。
4.如权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述第二方法残渣是硅方法残渣。
5.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中在步骤a)中合并每100重量份的所述第一方法残渣大于0重量份至100重量份的所述第二方法残渣。
6.如前述权利要求中任一项所述的方法，还包括在步骤a)之前预处理所述第二方法残渣。
7.如前述权利要求中任一项所述的方法，还包括c)从所述产物回收一种或多种甲硅烷，其中所述甲硅烷选自由以下组成的组：HSiCl3、SiCl4、(CH3)2SiCl2、CH3HSiCl2和(CH3)2HSiCl。
8.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述方法在从150℃至1000℃范围内的温度下操作的反应器中进行。
9.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述方法在从345kPa至68,900kPa范围内的压力下操作的反应器中进行。
10.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中在所述反应器中的停留时间在从1秒至5小时范围内。
11.如前述权利要求中任一项所述的方法，还包括用选自由以下组成的组的反应物补充：富含氯的物质、SiH官能物质、富含烷基的物质及其组合。
12.如权利要求1至10中任一项所述的方法，还包括用选自由以下组成的组的富含氯的物质补充：HSiCl3、SiCl4、Si2Cl6及其组合。
13.如权利要求2至10中任一项所述的方法，其中所述甲基氯甲硅烷方法残渣包含铜物质，且所述方法还包括用HCl补充。
14.如权利要求1至10中任一项所述的方法，还包括用选自由以下组成的组的SiH官能物质补充：HSiCl3、CH3HSiCl2及其组合。
15.如权利要求1至10中任一项所述的方法，还包括用选自由以下组成的组的富含烷基的物质补充：四甲基硅烷、三甲基氯硅烷、二甲基二氯硅烷及其组合。
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