[发明专利]逆分散性相位差膜及使用其的液晶显示装置

权利要求书

1.一种逆分散性相位差膜，其中，

所述逆分散性相位差膜是将由降冰片烯系开环共聚物构成的薄膜进行延伸而制成的，

所述降冰片烯系开环共聚物含有由下述通式(1)表示的结构单元(A)及由下述通式(2)表示的结构单元(B)，：

式(1)中，m表示0或1的整数，

R¹表示选自氢原子；卤原子；可具有选自氧原子、氮原子、硫原子及硅原子中的至少1种连接基的取代或非取代的碳原子数为1～30的烃基；及极性基中的原子或基，

X¹表示选自由式：-CH＝CH-表示的基及由式：-CH₂CH₂-表示的基中的任意基，

a及b分别独立地表示0～6的整数，

在一个结构单元中存在多个Y的情况下，Y相同或不同，表示选自亚甲基、羰基、氧基及碳原子数为1～5的烷基亚氨基中的至少一个基，

在一个结构单元中存在多个Z的情况下，Z相同或不同，表示选自亚甲基、羰基、氧基及碳原子数为1～5的烷基亚氨基中的至少一个基；

式(2)中，n表示0或1的整数，

X²表示选自由式：-CH＝CH-表示的基及由式：-CH₂CH₂-表示的基中的任意基，

R²、R³、R⁴、R⁵分别独立地表示选自氢原子；卤原子；可具有选自氧原子、氮原子、硫原子及硅原子中的至少1种连接基的取代或非取代的碳原子数为1～30的烃基；及极性基中的原子或基，

波浪线d、e表示endo构型或exo构型，

波浪线f表示endo构型或exo构型；

并且，前述结构单元(A)与前述结构单元(B)中的前述波浪线f表示exo构型时的exo型结构单元的总量相对于全部结构单元为20摩尔％以上65摩尔％以下。

2.根据权利要求1所述的逆分散性相位差膜，其中，

前述通式(1)中的m为0，且R¹为选自氢原子及碳原子数为1～6的烷基中的至少1种。

3.根据权利要求1所述的逆分散性相位差膜，其中，

前述通式(1)中的m为0，且R¹为氢原子。

4.根据权利要求1所述的逆分散性相位差膜，其中，

前述通式(2)中的R²、R³、R⁴分别独立地为选自氢原子、甲基及苯基中的至少1种。

5.根据权利要求1所述的逆分散性相位差膜，其中，

前述通式(2)中的R⁵为选自甲基、丙基、丁基、2-甲基丙烷-2-基、环己基及苯基中的至少1种。

6.根据权利要求1所述的逆分散性相位差膜，其中，

前述结构单元(A)的含量相对于前述降冰片烯系开环聚合物中的全部结构单元为6摩尔％以上40摩尔％以下。

7.根据权利要求1所述的逆分散性相位差膜，其中，

前述结构单元(A)中的前述X¹为由式：-CH₂CH₂-表示的基时的结构单元与前述结构单元(B)中的前述X²为由式：-CH₂CH₂-表示的基时的结构单元的总量相对于前述降冰片烯系开环聚合物中的全部结构单元为90摩尔％以上。

8.根据权利要求1所述的逆分散性相位差膜，其中，

前述结构单元(A)与前述结构单元(B)中的前述波浪线f表示exo构型时的exo型结构单元的总量相对于全部结构单元为25摩尔％以上50摩尔％以下。

9.一种液晶显示装置，其具有权利要求1～8中任意一项所述的逆分散性相位差膜。