[发明专利]光电半导体组件

权利要求书

1.光电半导体组件，具有

—多个尤其是矩阵状布置的、发射辐射的半导体芯片（2），其中半导体芯片（2）被施加在共同的载体（1）上，

—至少一个转换元件（3），该转换元件排在至少一个半导体芯片（2）后面以转换从半导体芯片（2）发射的电磁辐射，

—至少一个跟随每个半导体芯片（2）的散射元件（4）以用于漫射地散射从半导体芯片（2）发射的电磁辐射，其中

—散射元件（4）与转换元件（3）直接接触。

2.根据权利要求1的光电半导体组件，

其中相邻的半导体芯片的侧面间距为10和150μm之间。

3.根据前述权利要求之一的光电半导体组件，

其中所述至少一个散射元件（4）用基质材料构成，散射辐射的颗粒被引入到该基质材料中。

4.根据权利要求3的光电半导体组件，

其中所述至少一个散射辐射的颗粒由以下材料中的至少一种构成或者包含以下材料之一：SiO₂，ZrO₂，TiO₂或者Al_xO_y。

5.根据权利要求3或4的光电半导体组件，

其中基质材料中散射辐射的颗粒的浓度大于1%重量百分比。

6.根据前述权利要求之一的光电半导体组件，

其中所述至少一个散射元件（4）用基质材料构成，微结构被引入到该基质材料中。

7.根据前述权利要求之一的光电半导体组件，

其中所述至少一个散射元件（4）是散射光的薄膜（43）或散射光的薄片（41）。

8.根据前述权利要求之一的光电半导体组件，

其中在每个半导体芯片（2）后面恰好排有一个散射元件（4），其中该散射元件（4）在侧面从分配给该半导体芯片（2）的转换元件（3）突出出来。

9.根据前述权利要求之一的光电半导体组件，

其中散射元件（4）恰好排在半导体芯片后面，该散射元件（4）覆盖所有半导体芯片（2），其中散射元件（4）具有连续的辐射出射面。

10.用于制造光电半导体器件的方法，具有以下步骤：

—提供载体元件（6），

—借助于第一丝网印刷过程在转换元件（3）上构成至少一个转换元件（3），

—借助于第二丝网印刷过程将至少一个散射元件（4）构造到至少一个转换元件（3）的暴露的外面上，

—使载体元件（6）脱落，

—在至少一个发射辐射的半导体芯片（2）上施加由至少一个转换元件（3）和至少一个散射元件（4）构成的联合体。

11.根据权利要求10的方法，

其中根据权利要求1至9之一来制造光电半导体构件。