[发明专利]缩减在半导体装置的接点等级中图案化两个不同应力诱发层的期间所产生与地貌相关的不平整

权利要求书

1.一种方法，包括：

在形成于半导体装置(200)的装置等级中的第一及第二导线(222P，222N)上方形成第一应力诱发层(230)；

实施蚀刻制程，用于将该第一应力诱发层(230)自该第二导线(222N)上方移除，同时保留该第一导线(222P)上方的该第一应力诱发层；

于该第二导线(222N)上以及于经保留于该第一导线(222P)上方的第一应力诱发层(230)上形成第二应力诱发层(240)；

自该第一导线(222P)上方选择性地移除该第二应力诱发层(240)及该第一应力诱发层(230)的材料；以及

于该第一及第二导线(222P，222N)上方形成至少一层进一步应力诱发层(235)，该至少一层进一步应力诱发层(235)与该第一应力诱发层(230)诱发相同类型的应力。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括藉由实施离子轰击缩减该第二导线(222N)上方的该至少一层进一步应力诱发层(235)的应力等级。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包括自该第二导线(222N)上方移除该至少一层进一步应力诱发层(235)。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包括自装置区域(220B)上方移除该第一及第二应力诱发层(230，240)，该装置区域(220B)包括复数个紧密间隔的晶体管组件(222)，其中，该至少一层进一步应力诱发层(235)被保留于该装置区域(220B)中，以加强该复数个晶体管(222)的效能。

5.如权利要求1所述的方法，其中，形成该至少一层进一步应力诱发层(235)包括沉积缓冲层及在该缓冲层上沉积第三应力诱发层。

6.如权利要求1所述的方法，其中，该第一应力诱发层(230)经形成具有内部压缩应力等级，而该第二应力诱发层(240)经形成具有内部拉伸应力等级。

7.如权利要求1所述的方法，其中，该第一及第二应力诱发层(230，240)被形成在区域(245)不重叠，该区域(245)在侧向上位于第一个该第一导线(222P)及邻近该第一个该第一导线(222P)的第一个该第二导线(222N)之间。

8.一种方法，包括：

在位于速度关键装置区域(220A)中的第一晶体管(222P)与第二晶体管(222N)上方以及在位于第二装置区域(220B)中的第一晶体管(222)与第二晶体管(222)上方形成第一应力诱发层(230)，该速度关键装置区域(220A)的该第一与第二晶体管(222P，222N)具有相反的导电类型；

自该速度关键装置区域(220A)的该第二晶体管(222N)上方以及自该第二装置区域(220B)的该第一与第二晶体管(222)的至少一者选择性地移除该第一应力诱发层(230)；

在该第二装置区域(220B)的上方以及在该速度关键装置区域(220A)的该第二晶体管(222N)上方以及在形成于该速度关键装置区域(220A)的该第一晶体管(222P)上方的该第一应力诱发层(230)上形成第二应力诱发层(240)，该第二应力诱发层(240)与该第一应力诱发层(230)具有不同类型的内部应力；

自该第一应力诱发层(230)及该第二装置区域(220B)的该第一与第二晶体管(222)的至少一者移除该第二应力诱发层(240)；以及

在该第二装置区域(220B)及该速度关键装置区域(220A)的该第一与第二晶体管(222P，222N)上方形成第三应力诱发层(235)，该第三应力诱发层(235)与该第一应力诱发层(230)具有相同类型的内部应力。

9.如权利要求8所述的方法，进一步包括放宽该速度关键装置区域(220A)的该第二晶体管(222N)上方的该第三应力诱发层(235)的内部应力等级。

10.如权利要求9所述的方法，进一步包括放宽该第二装置区域(220B)的该第一与第二晶体管(222)上方的该第三应力诱发层(235)的内部应力等级。

11.如权利要求8所述的方法，进一步包括自该速度关键装置区域(220A)的该第二晶体管(222N)上方移除该第三应力诱发层(235)。