[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：

具有至少一个通孔的第一导电类型的基板；

射极层，其仅位于所述至少一个通孔的至少一部分和从由所述基板的入射面和侧面组成的组中选择的至少一个上，所述射极层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；

至少一个第一电极，其位于所述基板的所述入射面上，所述第一电极电连接到所述射极层；

第二电极，其连接到所述基板的所述入射面的反面；以及

至少一个第一电极集流器，其位于所述反面上，所述至少一个第一电极集流器与所述第二电极绝缘，并且通过所述至少一个通孔电连接到所述至少一个第一电极。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括：

位于所述基板的所述反面上的钝化层。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述钝化层形成在所述至少一个通孔的侧壁的至少一部分上。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述钝化层包括至少一个含硅层。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述钝化层包括位于所述基板的所述反面上的第一钝化层、所述第一钝化层上的第二钝化层、以及所述第二钝化层上的第三钝化层，并且

所述第一钝化层、所述第二钝化层和所述第三钝化层中的每一个由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或非晶硅中的一种形成。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述第一钝化层由氧化硅形成，所述第二钝化层由氮化硅形成，并且所述第三钝化层由氮氧化硅形成。

7.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述第一钝化层、所述第二钝化层和所述第三钝化层各自具有不同的折射率。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中，所述第一钝化层具有所述第一钝化层、所述第二钝化层和所述第三钝化层中的最小折射率，并且所述第二钝化层具有所述第一钝化层、所述第二钝化层和所述第三钝化层中的最大折射率。

9.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中，形成在所述至少一个通孔的侧壁的所述钝化层的厚度根据所述钝化层的形成位置而变化。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其中，随着所述至少一个通孔的侧壁靠近所述基板的所述反面，形成在所述至少一个通孔的侧壁的所述钝化层的厚度增大。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，随着所述至少一个通孔的侧壁靠近所述基板的所述反面，组成形成在所述至少一个通孔的侧壁的所述钝化层的层的数量增多。

12.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述射极层位于所述至少一个通孔的侧壁。

13.根据权利要求4所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括位于所述射极层和所述钝化层之间的防反射层。

14.根据权利要求13所述的太阳能电池，其中，所述防反射层由氧化硅或氮化硅形成。

15.根据权利要求1所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括电连接到所述第二电极的至少一个第二电极集流器。

16.一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：

在第一导电类型的基板上形成至少一个通孔；

仅在所述至少一个通孔的至少一部分和从由所述基板的入射面和侧面组成的组中选择的至少一个上，形成与所述第一导电类型相反的第二导电类型的射极层；以及

形成电连接到所述射极层的多个第一电极、通过所述至少一个通孔电连接到所述第一电极的第一电极集流器、位于所述基板上的第二电极、以及电连接到所述第二电极的第二电极集流器。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，形成射极层的步骤包括以下步骤：在所述基板的反面上形成射极层，接着去除形成在所述基板的所述反面上的所述射极层以暴露所述基板的一部分。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，形成射极层的步骤包括以下步骤：遮掩所述基板的反面，以避免在所述基板的所述反面上形成射极层。

19.根据权利要求17所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述基板的被暴露部分上并且在所述至少一个通孔的侧壁形成钝化层。

20.根据权利要求19所述的方法，该方法还包括以下步骤：在位于所述第一电极集流器周围的第二电极导电层中、并且在位于所述第二电极导电层下面的钝化层中，形成暴露所述基板的一部分的暴露部分。