[发明专利]利用穿通效应的硅发光器件无效
| 申请号： | 200980155227.0 | 申请日： | 2009-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102292834A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | M·杜普勒西斯 | 申请（专利权）人： | 因西亚瓦(控股)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈新 |
| 地址： | 南非比*** | 国省代码： | 南非;ZA |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 效应 发光 器件 | ||
1.一种发光器件，包括：
-间接带隙半导体材料的主体；
-在该主体中的第一掺杂类型的第一区域和该主体的第一浓度的第二掺杂类型的第二区域之间形成的结区域；
-该主体包括第二浓度的第二掺杂类型的第三区域，第三区域和结区域被第二区域间隔开；
-其中第二浓度高于第一浓度；和
-连接到主体的端子布置，用于在使用时将第一结区域反向偏置为击穿模式，从而引起发光。
2.如权利要求1所述的器件，被配置为在结区域进入击穿模式前，与结区域相关联的耗尽区到达主体的第三区域。
3.如权利要求1或2所述的器件，其中端子布置包括与主体的第一区域相连接的第一接触件，和与主体的第三区域相连接的第二接触件。
4.如权利要求3所述的器件，其中在第二区域上不提供接触件。
5.如权利要求1到4中任一项所述的器件，其中第一掺杂类型是n，第二掺杂类型是p。
6.如权利要求1到4中任一项所述的器件，其中第一掺杂类型是p，第二掺杂类型是n。
7.一种操作发光器件的方法，该方法包括步骤：
-使用间接带隙半导体材料的主体，在该主体中的第一掺杂类型的第一区域和该主体的第一浓度的第二掺杂类型的第二区域之间形成有结区域，该主体包括第二浓度的第二掺杂类型的第三区域，第三区域和结区域被第二区域间隔开，并且其中第二浓度高于第一浓度；和
-将第一结区域反向偏置为击穿模式；和
-在结区域进入击穿模式前，使得与结区域相关联的耗尽区到达主体的第三区域。
8.一种制造发光器件的方法，该方法包括步骤：
-使用间接带隙半导体材料的主体；
-在主体中的第一掺杂类型的第一区域和该主体的第一浓度的第二掺杂类型的第二区域之间形成结区域；
-形成主体的第二浓度的第二掺杂类型的第三区域，第三区域和结区域被第二区域间隔开；和
-使第二浓度高于第一浓度。
9.如权利要求6所述的方法，包括使第二区域的至少一部分成形以符合所需要的发光形状的另一步骤。
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