[发明专利]氮氧化物检测元件、氮氧化物检测传感器和使用其的氮氧化物浓度测定装置及氮氧化物浓度测定方法无效
申请号: | 200980155362.5 | 申请日: | 2009-11-06 |
公开(公告)号: | CN102292631A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 平中弘一;永松丰史;定冈芳彦;板垣吉晃 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G01N21/77 | 分类号: | G01N21/77;G01N31/00;G01N31/22;G01N33/497 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 刘多益 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化物 检测 元件 传感器 使用 浓度 测定 装置 方法 | ||
1.氮氧化物检测元件,其特征在于,在基体表面形成有检测膜,该检测膜由分散有以钴为中心金属的卟啉或以钴为中心金属的具有卟啉骨架的衍生物的单独一种或混合物的高分子形成。
2.氮氧化物检测元件,其特征在于,将形成有检测膜的载体支承于基体的表面,该检测膜由分散有以钴为中心金属的卟啉或以钴为中心金属的具有卟啉骨架的衍生物的单独一种或混合物的高分子形成。
3.如权利要求1或2所述的氮氧化物检测元件,其特征在于,相对于所述检测膜的高分子的单位重量,以钴为中心金属的卟啉或以钴为中心金属的具有卟啉骨架的衍生物的单独一种或混合物的摩尔数为1×10-6mol/g~1×10-3mol/g。
4.如权利要求1或2所述的氮氧化物检测元件,其特征在于,所述检测膜的每单位面积的钴原子数为1013个/cm2~1016个/cm2。
5.如权利要求1或2所述的氮氧化物检测元件,其特征在于,所述以钴为中心金属的卟啉为四苯基卟啉钴。
6.如权利要求1或2所述的氮氧化物检测元件,其特征在于,所述以钴为中心金属的卟啉或以钴为中心金属的具有卟啉骨架的衍生物的单独一种或混合物的作为中心金属的钴为2价离子,或2价离子和3价离子混杂。
7.氮氧化物检测元件,其特征在于,在不透过检测光的基体的表面形成有检测膜,该检测膜由分散有以钴为中心金属的卟啉或以钴为中心金属的具有卟啉骨架的衍生物的单独一种或混合物的高分子形成。
8.氮氧化物检测元件,其特征在于,在透过检测光的基体的表面形成有检测膜,该检测膜由分散有以钴为中心金属的卟啉或以钴为中心金属的具有卟啉骨架的衍生物的单独一种或混合物的高分子形成。
9.如权利要求8所述的氮氧化物检测元件,其特征在于,透过检测光的所述基体是玻璃基板、石英基板、蓝宝石基板、氮化镓基板、塑料基板、纸、树脂、织布或无纺布。
10.氮氧化物检测元件,其特征在于,成为供检测光通过的光波导的基体表面的至少一部分沿着所述光波导形成有检测膜,该检测膜由分散有以钴为中心金属的卟啉或以钴为中心金属的具有卟啉骨架的衍生物的单独一种或混合物的高分子形成。
11.氮氧化物浓度测定装置,其特征在于,设置有:
氮氧化物检测元件,该氮氧化物检测元件中在不透过检测光的基体的表面形成有检测膜,该检测膜由分散有以钴为中心金属的卟啉或以钴为中心金属的具有卟啉骨架的衍生物的单独一种或混合物的高分子形成;
温度控制器,该温度控制器使所述氮氧化物检测元件的温度接近目标温度;
测定部,该测定部向所述氮氧化物检测元件的基体照射检测光,检测介于所述检测膜反射的光,根据与所述待测气体接触前后的所述检测光的变化,计算与所述检测膜接触的待测气体的氮氧化物浓度。
12.氮氧化物浓度测定装置,其特征在于,设置有:
氮氧化物检测元件,该氮氧化物检测元件中在透过检测光的基体的表面形成有检测膜,该检测膜由分散有以钴为中心金属的卟啉或以钴为中心金属的具有卟啉骨架的衍生物的单独一种或混合物的高分子形成;
温度控制器,该温度控制器使所述氮氧化物检测元件的温度接近目标温度;
测定部,该测定部检测透过所述氮氧化物检测元件的所述检测膜的光,根据与所述待测气体接触前后的所述检测光的变化,计算与所述检测膜接触的待测气体的氮氧化物浓度。
13.氮氧化物浓度测定装置,其特征在于,设置有:
氮氧化物检测元件,该氮氧化物检测元件中成为供检测光通过的光波导的基体表面的至少一部分沿着所述光波导形成有检测膜,该检测膜由分散有以钴为中心金属的卟啉或以钴为中心金属的具有卟啉骨架的衍生物的单独一种或混合物的高分子形成;
温度控制器,该温度控制器使所述氮氧化物检测元件的温度接近目标温度;
测定部,该测定部检测透过所述氮氧化物检测元件的所述基体的光,根据与所述待测气体接触前后的所述检测光的变化,计算与所述检测膜接触的待测气体的氮氧化物浓度。
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