[发明专利]包括铜铟镓硒的光伏器件无效
申请号: | 200980155390.7 | 申请日: | 2009-11-10 |
公开(公告)号: | CN102292817A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 大卫·伊格尔沙姆 | 申请(专利权)人: | 第一太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00;H01L21/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;刘灿强 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 铜铟镓硒 器件 | ||
1.一种制造光伏器件的方法,所述方法包括以下步骤:
在基底的第一表面上沉积包括铜、铟和镓的层;
在所述包括铜、铟和镓的层上沉积硒层。
2.如权利要求1所述的方法,所述方法还包括反复地执行沉积包括铜、铟和镓的层的步骤和沉积硒层的步骤。
3.如权利要求1所述的方法,其中,基底包含玻璃。
4.如权利要求1所述的方法,其中,通过溅射来沉积包括铜、铟和镓的层。
5.如权利要求1所述的方法,其中,通过气相传输沉积来沉积硒层。
6.如权利要求1所述的方法,其中,沉积包括铜、铟和镓的层的步骤发生在沉积硒层的步骤之前。
7.如权利要求1所述的方法,所述方法还包括沉积透明导电层的步骤。
8.如权利要求7所述的方法,其中,透明导电层是透明导电氧化物层。
9.如权利要求8所述的方法,其中,透明导电氧化物层是氧化铟锡。
10.一种层状结构,所述层状结构包括:
基底;
溅射的包括铜、铟和镓的层,与基底的表面接触;
硒层,与所述包括铜、铟和镓的层接触。
11.如权利要求10所述的层状结构,其中,所述层状结构形成光伏器件。
12.如权利要求11所述的层状结构,其中,光伏器件是薄膜光伏器件。
13.如权利要求10所述的层状结构,所述层状结构还包括与所述包括铜、铟和镓的层及硒层接触的透明导电层。
14.如权利要求13所述的层状结构,其中,透明导电层是氧化锡。
15.一种用于产生太阳能的系统,所述系统包括:
基底;
透明导电层,沉积在基底上;
溅射的包括铜、铟和镓的层,与透明导电层接触;
硒层,与所述包括铜、铟和镓的层接触;
背金属接触层,与所述包括铜、铟和镓的层以及硒层接触,
其中,使所述溅射的包括铜、铟和镓的层以及硒层退火以形成包括铜、铟、镓和硒的层。
16.如权利要求15所述的系统,其中,所述系统形成光伏器件。
17.如权利要求16所述的系统,其中,光伏器件是薄膜光伏器件。
18.如权利要求15所述的系统,其中,透明导电层是氧化锡。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的