[发明专利]混合存储设备

权利要求书

1.一种方法，包括：

接收数据；

将接收到的数据归类到几个数据层级中的一个层级中；

将每个层级的数据存储在不同的非易失性存储设备上。

2.根据权利要求1所述的方法，包括将接收到的数据归类为层级1数据和层级2数据。

3.根据权利要求2所述的方法，包括将所述层级1数据和所述层级2数据分别存储在第一非易失性存储设备和第二非易失性存储设备上。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一非易失性存储设备包括单层单元(SLC)NAND闪速单元，且所述第二非易失性存储设备包括多层单元(MLC)NAND闪速单元。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述单层单元NAND闪速单元和所述多层单元NAND闪速单元在一个NAND闪速设备上。

6.根据权利要求3所述的方法，其中存储所述层级1数据包括将用户指定的写入存储在所述第一非易失性存储设备上。

7.根据权利要求3所述的方法，其中存储所述层级2数据包括将用户定义的低优先级写入存储在所述第二非易失性存储设备上。

8.根据权利要求3所述的方法，其中所述层级2数据包括在延迟写入后的元数据更新，或针对读取未命中插入的高速缓存后台写入，或干净高速缓存数据，或由于后台重定位而导致的非易失性存储器写入，或它们的组合。

9.根据权利要求3所述的方法，其中所述层级1数据包括脏高速缓存数据。

10.一种系统，包括：

第一非易失性存储设备；

第二非易失性存储设备；以及

存储器控制器，其耦合到所述第一非易失性存储设备和所述第二非易失性存储设备，其中所述存储器控制器在所述第一非易失性存储设备和所述第二非易失性存储设备之间划分数据。

11.根据权利要求10所述的系统，其中所述第一非易失性存储设备包括单层单元(SLC)NAND闪速单元，且所述第二非易失性存储设备包括多层单元(MLC)NAND闪速单元。

12.根据权利要求11所述的系统，其中所述单层单元NAND闪速单元和所述多层单元NAND闪速单元设置在一个NAND闪速设备上。

13.根据权利要求10所述的系统，其中所述第一非易失性存储设备用于存储用户指定的高优先级写入。

14.根据权利要求10所述的系统，其中所述第二非易失性存储设备用于存储以下中的至少一个：用户定义的低优先级写入、在延迟写入后的元数据更新，或针对读取未命中插入的高速缓存后台写入，或干净高速缓存数据，或由于后台重定位而导致的非易失性存储器写入，或它们的组合。

15.根据权利要求10所述的系统，其中所述存储器控制器用于根据存储管理策略来划分磁盘高速缓存数据。

16.根据权利要求10所述的系统，其中所述存储器控制器用于根据预期的工作负荷与磁盘缓存策略来划分磁盘高速缓存数据。

17.一种半导体设备，包括：

处理器；

单层单元(SLC)NAND闪速存储设备，其耦合到所述处理器；以及

多层单元(MLC)NAND闪速存储设备，其耦合到所述处理器，其中在所述单层单元NAND闪速存储设备与所述多层单元NAND闪速存储设备之间划分高速缓存工作负荷和固态盘工作负荷中的至少之一。

18.根据权利要求17所述的半导体设备，其中在所述单层单元NAND闪速存储设备与所述多层单元NAND闪速存储设备之间的所述划分基于NAND管理策略。

19.根据权利要求17所述的半导体设备，其中所述单层单元NAND闪媒与所述多层单元NAND闪速存储设备形成一个集成存储设备的部件。

20.根据权利要求17所述的半导体设备，其中所述处理器用于从用户接收指令以便识别高优先级写入和低优先级写入。

21.根据权利要求20所述的半导体设备，其中所述单层单元(SLC)NAND闪速存储设备用于存储所述高优先级写入。