[发明专利]包括具有可变厚度的透明导电电极的光生伏打模块及其制造方法有效
申请号: | 200980155922.7 | 申请日: | 2009-12-03 |
公开(公告)号: | CN102301486A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | E·V·约翰森;P·罗卡伊卡瓦鲁卡斯 | 申请(专利权)人: | 综合工科学校;科学研究国家中心;道达尔公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 杨晓光;于静 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 具有 可变 厚度 透明 导电 电极 光生伏打 模块 及其 制造 方法 | ||
1.一种包括至少两个串联的光生伏打电池(7、7′)的光生伏打模块(1),每个电池(7、7′)都是矩形的并且分别包括:
-薄层后端电极(5、5′),
-位于所述后端电极(5、5′)与薄层透明导电(TC)电极(4、4′)之间的至少两个光生伏打活性材料的光生伏打堆(3、3′),
-所述TC电极(4、4′)能够收集和发送由所述光生伏打堆(3、3′)生成的电流(10、10′),并且
两个光生伏打电池(7、7′)通过沿着相邻于两个电池(7、7′)的一侧延伸的电接触带(6)而串联电连接,所述接触带(6)位于第一电池(7)的TC电极(4)与第二电池(7’)的后端电极(5’)之间,其特征在于,
所述电池(7)的薄层透明电极(4)的局部厚度(e)按照至所述电接触带(6)的距离的变化而变化。
2.根据权利要求1所述的光生伏打模块(1),其特征在于,所述薄层透明电极(4)的光电属性按照至所述电接触带(6)的距离的变化而变化。
3.根据权利要求1或2所述的光生伏打模块(1),其特征在于,电池(7)的所述薄层透明电极(4)的局部厚度(e)和/或光电属性从所述接触带(6)开始沿着所述薄层透明电极(4)的平面中的一个方向(X)线性地减小。
4.根据权利要求1或2所述的光生伏打模块(1),其特征在于,电池(7)的所述薄层透明电极(4)的局部厚度(e)和/或光电属性从所述接触带(6)开始沿着所述薄层透明电极(4)的平面中的一个方向(X)非线性地减小。
5.根据权利要求1至4之一所述的光生伏打模块(1),其特征在于,所述TC电极(4)的材料是从以下材料中选出的透明导电氧化物:掺氟氧化锡(SnO2:F)、掺铝氧化锌(ZnO:Al)或金属氧化物合金(ITO)。
6.根据权利要求1至5之一所述的光生伏打模块(1),其特征在于,包括沉积于同一个基板(2)上的一组相同的光生伏打电池(7、7′、7″...),并且活性材料的光生伏打堆(3、3′、3″...)包括掺杂的或本征的无定形硅(a-Si:H)。
7.一种用于制造根据权利要求1至6之一的光生伏打模块(1)的方法,该光生伏打模块包括一组N个宽度为L的矩形光生伏打电池(7、7′、7″...),其特征在于,具有可变厚度的薄透明导电层(4、4′、4″...)穿过包括N个宽度为L的锯齿的掩膜(8)通过TC材料的阴极溅射而被沉积在基板上,当实施时,在溅射期间,所述掩膜与所述基板在所述锯齿的方向(X)中相对平移。
8.一种用于制造根据权利要求1至6之一的光生伏打模块(1)的方法,该光生伏打模块包括一组N个宽度为L的光生伏打电池(7、7′、7″...),其特征在于,具有可变厚度的薄透明导电层(4、4′、4″...)穿过包括一组N个宽度为L的切口和N个宽度为L的屏蔽区的两个掩膜(9、9’)通过TC材料的阴极溅射而被沉积,所述掩膜(9、9’)在两个相反的方向中顺次地平移。
9.一种用于制造根据权利要求1至6之一的光生伏打模块(1)的方法,该光生伏打模块包括一组N个宽度为L的矩形光生伏打电池(7、7′、7″...),其特征在于,具有可变厚度的薄透明导电层(4、4′、4″...)穿过包括N个宽度为L的锯齿的掩膜(8)通过气相前体的热分解而被沉积在基板(2)上,当实施时,在所述热分解期间,所述掩膜与所述基板在所述锯齿的方向(X)中相对平移。
10.一种用于制造根据权利要求1至6之一的光生伏打模块(1)的方法,其特征在于,包括均匀地沉积薄透明导电(TC)层的步骤和通过将所述均匀层施加到容器(12)的上边缘(14)上来对所述薄TC层进行液相化学蚀刻的步骤,其中所述容器包括N个蚀刻槽(13、13’、13”、13”’)、用于每个槽的用于填充(15)和排空(16)能够蚀刻所述透明导电材料的液体(18)的装置以及位于每个槽之间的密封装置,所述上边缘(14)构成相对于所述槽(13、13’、13”、13”’)中的液体的水平面倾斜的平面,以使得对所述槽的填充和逐渐排空能够对所述透明导电层(4)进行不均匀的蚀刻。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的