[发明专利]用于外延剥离的多个堆栈沉积

权利要求书

1.一种布置于衬底表面上的薄膜堆栈，包含：

第一牺牲层，其布置于衬底上；

第一外延膜，其布置于所述第一牺牲层上；

第二牺牲层，其布置于所述第一外延膜上；及

第二外延膜，其布置于所述第二牺牲层上。

2.如权利要求1所述的薄膜堆栈，还包含：

第三牺牲层，其布置于所述第二外延膜上；及

第三外延膜，其布置于所述第三牺牲层上。

3.如权利要求1所述的薄膜堆栈，其中所述衬底包含砷化镓、其合金、其掺杂物或其衍生物。

4.如权利要求1所述的薄膜堆栈，其中所述第一外延膜与所述第二外延膜具有相同的成分，且所述第一牺牲层与所述第二牺牲层具有相同的成分。

5.如权利要求4所述的薄膜堆栈，其中所述第一外延膜及所述第二外延膜中的每一个独立地包含一选自由以下各物组成的群组的材料：砷化镓、砷化铝镓、磷化铟镓、其合金、其衍生物及其组合。

6.如权利要求5所述的薄膜堆栈，其中所述第一外延膜及所述第二外延膜中的每一个独立地包含一包含砷化镓的层及包含砷化铝镓的另一层。

7.如权利要求5所述的薄膜堆栈，其中所述第一外延膜及所述第二外延膜中的每一个独立地包含砷化镓缓冲层、砷化铝镓钝化层及砷化镓活性层。

8.如权利要求7所述的薄膜堆栈，其中所述砷化镓缓冲层具有在约100nm至约500nm的范围内的厚度，所述砷化铝镓钝化层具有在约10nm至约50nm的范围内的厚度，且所述砷化镓活性层具有在约500nm至约2,000nm的范围内的厚度。

9.如权利要求7所述的薄膜堆栈，其中所述第一外延膜及所述第二外延膜中的每一个还包含第二砷化铝镓钝化层。

10.如权利要求1所述的薄膜堆栈，其中所述第一外延膜及所述第二外延膜中的每一个独立地包含具有多个层的光伏电池结构，且所述光伏电池结构中的每一个独立地包含选自由以下各物组成的群组的材料：砷化镓、n型掺杂砷化镓、p型掺杂砷化镓、砷化铝镓、n型掺杂砷化铝镓、p型掺杂砷化铝镓、磷化铟镓、其合金、其衍生物，及其组合。

11.如权利要求1所述的薄膜堆栈，其中所述第一牺牲层及所述第二牺牲层中的每一个独立地包含选自由以下各物组成的群组的材料：砷化铝、其合金、其衍生物及其组合。

12.如权利要求11所述的薄膜堆栈，其中所述第一牺牲层及所述第二牺牲层中的每一个独立地具有约20nm或更小的厚度。

13.如权利要求12所述的薄膜堆栈，其中所述厚度在约1nm至约10nm的范围内。

14.一种布置于衬底表面上的薄膜堆栈，包含：

第一牺牲层，其布置于包含砷化镓的衬底上；

第一外延膜，其布置于所述第一牺牲层上；

第二牺牲层，其布置于所述第一外延膜上；

第二外延膜，其布置于所述第二牺牲层上；

第三牺牲层，其布置于所述第二外延膜上；及

第三外延膜，其布置于所述第三牺牲层上，其中所述第一外延膜、所述第二外延膜及所述第三外延膜中的每一个独立地包含砷化镓或砷化镓合金，且所述第一牺牲层、所述第二牺牲层及所述第三牺牲层中的每一个独立地包含砷化铝或砷化铝合金。

15.一种用于在衬底表面上形成薄膜堆栈的方法，包含：

在衬底上沉积第一牺牲层；

在所述第一牺牲层上沉积第一外延膜；

在所述第一外延膜上沉积第二牺牲层；

在所述第二牺牲层上沉积第二外延膜；及

在外延剥离过程期间，通过：

蚀刻掉所述第二牺牲层，同时移除所述第二外延膜；及

蚀刻掉所述第一牺牲层，同时移除所述第一外延膜，

来使所述第一外延膜及所述第二外延膜与所述衬底分离。

16.如权利要求15所述的方法，其中使所述第一外延膜及所述第二外延膜同时与所述衬底分离。

17.如权利要求15所述的方法，其中蚀刻掉所述第一牺牲层，同时移除所述第一外延膜在蚀刻掉所述第二牺牲层，同时移除所述第二外延膜之后。