[发明专利]相控阵列共烧天线结构及其形成方法无效
申请号: | 200980156019.2 | 申请日: | 2009-12-16 |
公开(公告)号: | CN102301530A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | J·K·山本;C·S·法洛 | 申请(专利权)人: | 麦德托尼克公司 |
主分类号: | H01Q9/04 | 分类号: | H01Q9/04;H01Q3/44;A61N1/372 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈炜 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 相控阵 列共烧 天线 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种可植入式医疗设备(“IMD”),包括:
从至少一个介电层以及天线获得的天线结构;以及
多个电极,所述多个电极相对于所述至少一个介电层来布局以用于跨所述至少一个介电层的至少部分施加偏置,其中所述电极连接到所述IMD中的电源;
控制器,与所述天线通信耦合以用于发送和接收遥感信号,以使得所述控制器配置为:
基于正由所述天线接收的信号的某些特性来测量所述天线的性能;以及
使偏置由所述多个电极施加于所述至少一个介电层的至少部分以改变所述天线的所述性能。
2.如权利要求1所述的可植入式医疗设备,其特征在于,所述至少一个介电层和所述天线是已被共烧在一起的单片天线结构的部分。
3.如权利要求1所述的可植入式医疗设备,其特征在于,所述至少一个介电层包括陶瓷材料。
4.如权利要求3所述的可植入式医疗设备,其特征在于,所述陶瓷材料包括熔点在大约850℃与1150℃之间的低温共烧陶瓷(LTCC)材料和具有高介电常数的可共烧糊剂。
5.如权利要求3所述的可植入式医疗设备,其特征在于,所述陶瓷材料包括熔点在大约1100℃与1700℃之间的高温共烧陶瓷(HTCC)材料。
6.如权利要求1所述的可植入式医疗设备,其特征在于,所述天线结构是从多个介电层获得的以使所述天线被嵌入所述多个介电层内,进一步,其中所述多个电极和天线是在相同介电层上形成的。
7.如权利要求1所述的可植入式医疗设备,其特征在于,所述天线结构是从多个介电层获得的以使所述天线被嵌入所述多个介电层内,进一步,其中所述多个电极和天线是在不同介电层上形成的。
8.如权利要求1所述的可植入式医疗设备,其特征还在于,所述控制器还配置为向所述至少一个介电层施加所述偏置以向所述天线提供波束转向功能性,以使向和从所述天线传达的信号能被可选地放大。
9.如权利要求1所述的可植入式医疗设备,其特征还在于,所述控制器还配置为向所述至少一个介电层施加所述偏置以向所述天线提供波束转向功能性,以使向和从所述天线传达的信号能被可选地衰减。
10.如权利要求1所述的可植入式医疗设备,其特征还在于,所述控制器还配置为施加所述偏置以执行改变所述天线接收到的信号的增益或实现所述天线与围绕所述IMD的植入位置的传播环境之间的阻抗匹配之中的至少一者。
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