[发明专利]具有两个放大级的运算跨导放大器有效
申请号: | 200980156056.3 | 申请日: | 2009-11-24 |
公开(公告)号: | CN102301588A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 杰尔马诺·尼科利尼;安德烈·巴比耶里;瑟吉欧·佩尔尼西 | 申请(专利权)人: | 意法爱立信有限公司 |
主分类号: | H03F1/08 | 分类号: | H03F1/08;H03F3/45 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 两个 放大 运算 放大器 | ||
1.一种运算放大器(100),所述运算放大器包括:
第一放大级(101),所述第一放大级(101)具有用以接收待放大的信号的输入端子(INM,INP)和第一输出端子(T1,T2);
第二放大级(102),所述第二放大级(102)具有连接到所述第一输出端子的第一输入端子(Q1,Q2)和提供放大的信号的输出端子(OUT1,OUT2),所述第一放大级和所述第二放大级在所述输入端子(INM,INP)和所述输出端子(OUT1,OUT2)之间限定信号传递函数,所述信号传递函数包括第一极点(ωp1)和第二极点(ωp2),
其特征在于,所述运算放大器(100)包括去耦级(103),所述去耦级(103)具有连接到所述第一级输入端子(INM,INP)的另一输入端子和连接到所述第二级输出端子(OUT1,OUT2)的另一输出端子,所述去耦级(103)布置成将至少一个零点(ωz)加入到所述运算放大器的传递函数中。
2.如权利要求1所述的运算放大器(100),其中所述去耦级(103)包括连接在接地端子(GND)和偏压端子(VDD)之间的电子跟随器装置(M5,M6),并且所述电子跟随器装置(M5、M6)设置有连接到所述第一级(101)的所述输入端子(INM,INP)的另一输入端子。
3.如权利要求2所述的运算放大器(100),其中所述电子跟随器装置(M5,M6)包括配置成源极跟随器的PMOS晶体管(M5),所述PMOS晶体管(M5)通过偏压晶体管(M6)连接到所述偏压端子(VDD),所述偏压晶体管由栅极参考电位(VB2)驱动。
4.如权利要求3所述的运算放大器(100),其中所述电子跟随器装置(M5,M6)设置有连接到另一电子晶体管(M3)的栅极端子的各个输出(U1,U2),所述另一晶体管具有连接在所述放大器的所述偏压端子(VDD)和所述输出端子(OUT1,OUT2)之间的源极端子和漏极端子。
5.如权利要求4所述的运算放大器(100),其中所述另一电子晶体管(M3)是用于所述第二放大级(102)的晶体管(M2)的A级负载晶体管。
6.如权利要求1所述的运算放大器(100),其中所述第一放大级(101)的所述输入端子(INM,INP)包括两个差分输入端子,所述第一输出端子(T1,T2)包括两个差分输出端子,且所述第二放大级(102)的所述输出端子(OUT1,OUT2)包括两个差分输出端子。
7.如权利要求4和6所述的运算放大器(100),其中所述放大器还连接到偏压级(104),所述偏压级(104)包括为二极管结构形式的第一PMOS晶体管(MD1)和第二PMOS晶体管(MD2),所述第一PMOS晶体管(MD1)和第二PMOS晶体管(MD2)相互串联且连接到偏置电流产生器(IDD),所述偏压级(104)配置成确保所述参考电位(VB2)供给所述另一电子晶体管(M3)的所述栅极端子,以建立所述放大器的输出电流(IOUT)。
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