[发明专利]用于光电器件的官能化聚芴

权利要求书

1.包含至少一个式V结构基团的聚芴，

其中：

R⁶为式VI的基团

R³、R⁴和R⁷独立地为氢、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基和其组合；且

R¹¹和R¹²一起形成被取代或未被取代的单环或双环杂芳环；

R¹³在每次出现时独立地为卤素、硝基、羟基、氨基、烷基、芳基、芳基烷基、烷氧基、被取代的烷氧基、被取代的烷基、被取代的芳基或被取代的芳基烷基；

Ar为芳基、杂芳基、被取代的芳基、被取代的杂芳基或其组合；

W为-X′-NH-Y′-、-X′-N＝Y″-、-X″＝N-Y′-或其组合；

X′选自直接键、亚烷基、被取代的亚烷基或其组合；

Y′为亚烷基、被取代的亚烷基、亚芳基、被取代的亚芳基、氧杂亚烷基、被取代的氧杂亚烷基或其组合；

X″为烷叉基、被取代的烷叉基或其组合；

Y″为烷叉基、被取代的烷叉基、芳叉基、被取代的芳叉基或其组合；且

p为0、1或2。

2.权利要求1的聚芴，其中R⁶另外包含至少一个三芳胺基团。

3.权利要求2的聚芴，其中所述三芳胺基团包含至少一个三芳胺取代的仲氨基、三芳胺取代的亚胺基或其组合。

4.权利要求2的聚芴，其中所述式VI的基团相对于所述三芳胺基团的重量百分数为约0.5-约50％摩尔。

5.有机光电器件，其包含具有至少一个式V结构基团的聚合物，

其中：

R⁶为式VI的基团：

R³、R⁴和R⁷独立地为氢、烷基、被取代的烷基、芳基、被取代的芳基和其组合；且

R¹¹和R¹²一起形成被取代或未被取代的单环或双环杂芳环；

R¹³在每次出现时独立地为卤素、硝基、羟基、氨基、烷基、芳基、芳基烷基、烷氧基、被取代的烷氧基、被取代的烷基、被取代的芳基或被取代的芳基烷基；

Ar为芳基、杂芳基、被取代的芳基、被取代的杂芳基或其组合；

W为-X′-NH-Y′-、-X′-N＝Y″-、-X″＝N-Y′-或其组合；

X′选自直接键、亚烷基、被取代的亚烷基或其组合；

Y′为亚烷基、被取代的亚烷基、亚芳基、被取代的亚芳基、氧杂亚烷基、被取代的氧杂亚烷基或其组合；

X″为烷叉基、被取代的烷叉基或其组合；

Y″为烷叉基、被取代的烷叉基、芳叉基、被取代的芳叉基或其组合；且

p为0、1或2。

6.权利要求5的有机光电器件，其中R⁶另外包含至少一个三芳胺基团。

7.权利要求6的有机光电器件，其中所述三芳胺基团为被取代的仲氨基、三芳胺取代的亚胺基或其组合。