[发明专利]用于通过激光能量照射半导体材料表面的方法和设备

权利要求书

1.一种用于照射半导体材料的方法，包括：

-利用具有激光照射参数的第一激光器照射半导体材料层表面的区域，以熔化所述区域的至少一部分；

-以及通过调节所述照射参数来控制照射过程；

其特征在于所述方法还包括确定熔化的区域部分的深度。

2.根据权利要求1所述的用于照射半导体材料的方法，其中所述照射过程通过基于将所述熔化的区域部分的所确定的深度与目标深度进行比较来调节所述照射参数而被控制。

3.根据权利要求1至2所述的用于照射半导体材料的方法，其中确定所述熔化的区域部分的所述深度包括在照射期间测量所述熔化的区域部分的熔化时间。

4.根据权利要求3所述的用于照射半导体材料的方法，其中测量所述熔化的区域部分的所述熔化时间包括在照射期间测量被照射的表面的折射率的改变。

5.根据权利要求4所述的用于照射半导体材料的方法，其中测量所述熔化的区域部分的所述熔化时间包括在照射期间测量所述被照射的表面的反射率。

6.根据权利要求5所述的用于照射半导体材料的方法，其中测量所述反射率包括检测在所述被照射的表面上的来自所述第一激光器的反射。

7.根据权利要求5所述的用于照射半导体材料的方法，其中测量所述反射率包括检测在所述被照射的表面上的来自第二激光器的反射。

8.一种用于照射半导体材料的设备，包括：

-第一激光器，其用于照射半导体层表面的区域，以熔化所述区域的至少一部分，所述激光器具有激光照射参数；

-以及控制器，其用于通过调节所述激光照射参数来控制照射过程；

其特征在于所述设备还包括用于确定熔化的区域部分的深度的装置。

9.根据权利要求8所述的用于照射半导体材料的设备，其中所述控制器适于通过基于将所述熔化的区域部分的所确定的深度与目标深度进行比较以调节所述照射参数来控制所述照射过程。

10.根据权利要求8至9所述的用于照射半导体材料的设备，其中所述用于确定熔化的区域部分的深度的装置包括用于在照射期间测量所述熔化的区域部分的熔化时间的装置。

11.根据权利要求10所述的用于照射半导体材料的设备，其中所述用于测量所述熔化的区域部分的熔化时间的装置包括用于在照射期间测量被照射的表面的折射率的改变的装置。

12.根据权利要求11所述的用于照射半导体材料的设备，其中所述用于测量所述熔化的区域部分的熔化时间的装置包括用于在照射期间测量所述被照射的表面的反射率的装置。

13.根据权利要求12所述的用于照射半导体材料的设备，其中所述用于测量所述被照射的表面的反射率的装置包括第二激光器。

14.一种根据权利要求8至13所述的设备的用途，用于制造半导体材料。