[发明专利]使用聚硅氮烷形成反色调图像的硬掩模方法

权利要求书

1.在器件上形成反色调图像的方法，包括：

a)任选地，在基材上形成吸收性有机底层；

b)在所述底层上形成光致抗蚀剂的涂层；

c)形成光致抗蚀剂图案；

d)在所述光致抗蚀剂图案上方由聚硅氮烷涂料组合物形成聚硅氮烷涂层，其中所述聚硅氮烷涂层比所述光致抗蚀剂图案厚，和进一步其中所述聚硅氮烷涂料组合物包含硅/氮聚合物和有机涂料溶剂；

e)蚀刻所述聚硅氮烷涂层以除去所述聚硅氮烷涂层至少直到所述光致抗蚀剂图案的顶部露出的程度；和

f)干蚀刻以除去所述光致抗蚀剂和在所述光致抗蚀剂下方的底层，从而在曾经存在所述光致抗蚀剂图案的位置的下方形成开口。

2.权利要求1的方法，还包括干蚀刻所述基材的步骤。

3.权利要求1或2的方法，其中存在所述底层。

4.权利要求1或2的方法，其中不存在所述底层。

5.权利要求1-3中任一项的方法，其中在步骤f)中，所述干蚀刻包括使用相同气体组合物在一个连续步骤中除去光致抗蚀剂和底层。

6.权利要求1-3或5中任一项的方法，其中在步骤f)中，所述干蚀刻包括首先除去光致抗蚀剂，接着是除去底层的单独步骤。

7.权利要求1-6中任一项的方法，其中所述聚硅氮烷包含至少一种结构(8)的单元，

其中R¹、R²和R³各自独立地选自氢、烷基、烯基、环烷基、芳基、氟烷基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、烷氧基，n是整数。

8.权利要求7的方法，其中所述聚硅氮烷包含至少一种结构(8)的单元，

其中R¹、R²和R³各自独立地选自氢、烷基、烯基、环烷基、芳基、氟烷基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、烷氧基，n是整数，和条件是R¹、R²和R³中至少一个是氢原子。

9.权利要求8的方法，其中所述聚硅氮烷包含至少一种结构(9)的单元，

其中n是整数。

10.权利要求1-3或5-9中任一项的方法，其中所述底层具有大于75重量％的碳含量。

11.权利要求1-10中任一项的方法，其中所述成像式曝光选自248nm、193nm、157nm、EUV、电子束和压印。

12.权利要求1-11中任一项的方法，其中步骤e)中的用于除去硅层的干蚀刻气体包含氟烃。

13.权利要求1-12中任一项的方法，其中步骤f)中的干蚀刻气体包含氧气。

14.通过权利要求1-13中任一项的方法获得的产品。

15.通过使用根据权利要求1-13中任一项的在器件上形成反色调图像的方法获得的微电子器件。