[发明专利]用于根据组织压缩时间来指示进行外科缝合的人体组织特性的指示器装置

权利要求书

1. 一种功率半导体器件（200），其特征在于所述功率半导体器件包括有源区，所述有源区具有：

第一导电类型的基底层（230），具有第二导电类型的下部半导体层（220）；

第二导电类型的本体区（250），与所述基底层接触；

第一导电类型的源极区（251），位于所述本体区（250）中；

第一导电类型的第一掺杂区（240），至少部分位于本体区之下，所述第一掺杂区的掺杂浓度高于基底层（230）的掺杂浓度；

第二导电类型的第二掺杂区（253），位于本体区（250）中且至少部分位于源极区（251）下面，所述第二掺杂区的掺杂浓度高于本体区的掺杂浓度；

发射极电极（290），连接到所述源极区（251）；

向下延伸到基底层中的沟槽（276），含有屏蔽电极（277），所述屏蔽电极（277）连接到所述发射极电极（290），其中所述沟槽（276）延伸到基底层中的深度比第一掺杂区（240）深；以及

栅极（270），至少部分形成在至少一部分源极区和本体区上方并且与所述屏蔽电极电绝缘。

2. 如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第二掺杂区（253）在横向上延伸得与所述源极区（251）一样远。

3. 如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第二掺杂区（253）在所述源极区（251）下面与所述沟槽（276）相邻。

4. 如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述发射极电极（290）嵌入到所述源极区（251）和所述第二掺杂区（253）中以形成沟槽型接触（490）。

5. 如权利要求1到3中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第二掺杂区与源极区之间的横向尺度在垂直于屏蔽沟槽的方向上改变，使得所述第二掺杂区仅部分地在横向上延伸超过源极区。

6. 如权利要求1到3中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一掺杂区为井状并且包围所述本体区。

7. 如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一掺杂区的掺杂浓度是不均匀的并且所述第一掺杂区的最高掺杂浓度区域是在本体区下面。

8. 如权利要求1-3和7中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为垂直型功率器件并且包括位于基底层下面且与下部半导体层（220）接触的集电极（210），并且所述栅极包括以下中的至少一个：平面栅极、垂直栅极及其组合。

9. 如权利要求1-3和7中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于：具有第一导电类型的第三掺杂区，位于充当漂移区的基底层与充当集电极区的下部半导体层之间。