[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

基板；

半导体层层叠体，其包括在所述基板上依次形成的第一氮化物半导体层及带隙比该第一氮化物半导体层的带隙大的第二氮化物半导体层；

第一欧姆电极及第二欧姆电极，其相互空出间隔地形成在所述半导体层层叠体上；

第一控制层，其形成在所述第一欧姆电极与所述第二欧姆电极之间；

第一栅电极，其形成在所述第一控制层上，

所述第一控制层由p型的氮化物半导体层层叠体构成，

所述p型的氮化物半导体层层叠体具有：

下层，其与所述第二氮化物半导体层相接；

中层，其形成在所述下层上且其杂质浓度比所述下层的杂质浓度低；

上层，其形成在所述中层上且其杂质浓度比所述中层的杂质浓度高。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述中层的膜厚比所述下层的膜厚厚。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述下层的膜厚比所述上层的膜厚厚。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述下层的每单位面积的载流子数为在所述第一氮化物半导体层与所述第二氮化物半导体层的界面产生的二维电子气体的每单位面积的电子数以上。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备：

第二控制层，其形成在所述第一控制层与所述第二欧姆电极之间且由所述p型的氮化物半导体层层叠体构成；

第二栅电极，其形成在所述第二控制层上。

6.一种半导体装置，其具备：

基板；

半导体层层叠体，其包括在所述基板上依次形成的第一氮化物半导体层及带隙比该第一氮化物半导体层的带隙大的第二氮化物半导体层；

第一欧姆电极及第二欧姆电极，其相互空出间隔地形成在所述半导体层层叠体上；

第一栅电极，其在所述第一欧姆电极与所述第二欧姆电极之间以隔着由p型的第三氮化物半导体层构成的第一控制层的方式形成；

第一栅极焊盘，其形成在所述半导体层层叠体上；

第一栅极配线，其形成在所述半导体层层叠体上且将所述第一栅电极和所述第一栅极焊盘连接；

第一电阻元件，其形成在所述半导体层层叠体上且插入于所述第一栅极配线。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述半导体层层叠体具有活性区域和电阻比该活性区域的电阻高的绝缘分离区域，

所述第一电阻元件为在所述绝缘分离区域上形成的p型的第四氮化物半导体层。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述半导体层层叠体具有活性区域和电阻比该活性区域的电阻高的绝缘分离区域，

所述第一电阻元件形成在所述绝缘分离区域上，是由电阻率比所述第一栅极配线的电阻率高的材料构成的金属层。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述第一电阻元件具有：二维电子气体层，其形成在所述第一氮化物半导体层与所述第二氮化物半导体层的界面；金属端子，其相互空出间隔地形成且分别与所述二维电子气体层欧姆连接。

10.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述第一欧姆电极具有多个第一欧姆电极指，

所述第二欧姆电极具有多个第二欧姆电极指，

所述第一栅电极具有多个第一栅电极指，

所述第一栅极配线包括将所述多个第一栅电极指彼此并联连接的指连接部，

所述第一电阻元件连接在所述指连接部与所述第一栅极焊盘之间。

11.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述第一欧姆电极具有多个第一欧姆电极指，

所述第二欧姆电极具有多个第二欧姆电极指，

所述第一栅电极具有多个第一栅电极指，

所述第一电阻元件为多个，且分别连接在各所述第一栅电极指与所述第一栅极配线之间。