[发明专利]过电压保护盒或插头以及过电压保护盒或插头的制造方法无效

专利信息
申请号: 200980156802.9 申请日: 2009-12-18
公开(公告)号: CN102318153A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: H·诺伊梅茨勒 申请(专利权)人: ADC有限公司
主分类号: H01T4/06 分类号: H01T4/06
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 蔡胜利
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 过电压 保护 插头 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种过电压保护盒或插头,包括外壳,至少一个电涌吸收器,接线触头,至少一个接地触头以及用于电涌接收器的支架,其中,所述支架(30)是塑料注射成型件的形式,所述接线触头(10a)和所述至少一个接地触头(21)被部分地注射成型于所述塑料注射成型件中。

2.如权利要求1所述的过电压保护盒,其中,所述接线触头(10a)是至少一个接触栅(10)的形式,所述接触栅(10)被自由压印通过所述支架(30)中的开口(31)。

3.如权利要求1或2所述的过电压保护盒,其中,所述接线触头(10a)分别具有插入区域(12)和接触区域(13a,13b),所述插入区域(12)没有通过注射成型而被封装起来。

4.如权利要求3所述的过电压保护盒,其中,所述插入区域(12)被布置成行(R),并且所述接触区域(13a,13b)和所述插入区域(12)位于一个平面(E1)内。

5.如权利要求4所述的过电压保护盒,其中,所述接触栅(10)中的所述接线触头(10a)通过公共横向腹板(11)相连接,所述插入区域(12)布置于所述横向腹板(11)下面并且所述接触区域(13a,13b)布置于所述横向腹板(11)上面,成对地,一个接触区域(13a)通过直连接板(14a)连接至所述横向腹板(11)并且另一个接触区域(13b)通过在两个点向后弯的连接板(14b)连接至所述横向腹板(11),所述横向腹板(11)的区域中的第一弯曲(15)将所述连接板(14b)引导到与所述接触区域(13a,13b)的平面(E1)平行的平面(E2)中,并且接触区域(13b)的区域中的第二弯曲(16)将所述连接板(14b)引导回到所述接触区域(13a,13b)的平面(E1)中,在两点处向后弯曲的所述连接板(14b)比所述直连接板(14a)长。

6.如权利要求5所述的过电压保护盒,其中,所述过电压保护盒(1)有两个经由横向腹板(22)互相连接的接地触头(21),所述横向腹板(22)在所述接线触头的接触区域(13a,13b)之间延伸,而不与所述连接板(14b)接触。

7.如权利要求3至6中任一所述的过电压保护盒,其中,所述接触区域(13a,13b)是长方形接触条状件的形式,相关联的接触条状件成对布置以使它们彼此上下对正。

8.如权利要求6或7所述的过电压保护盒,其中,所述支架(30)有凹陷(32),所述接触区域(13a,13b)被置于所述凹陷(32)的底部区域中。

9.如权利要求8所述的过电压保护盒,其中,塑料被注射到所述凹陷(32)中所述接触区域(13a,13b)之间。

10.如前述任一权利要求所述的过电压保护盒,其中,所述支架(30)的下侧(52)具有位于所述接线触头(10a)的两个插入区域(12)之间的凹口(53)。

11.如前述任一权利要求所述的过电压保护盒,其中,所述外壳(40)有中间壁(41),所述电涌吸收器(35)被置于所述中间壁(41)之间。

12.如前述任一权利要求所述的过电压保护盒,其中,所述支架(30)的后侧(39)形成外壳壁。

13.如前述任一权利要求所述的过电压保护盒,其中,所述电涌吸收器(35)是SMD部件的形式。

14.如前述任一权利要求所述的过电压保护盒,其中,所述电涌吸收器(35)是三极电涌吸收器的形式。

15.一种如权利要求1所述的过电压保护盒或插头的制造方法,其中,所述接线触头(10a)和所述至少一个接地触头(21)被注射到塑料注射成型件形式的所述支架(30)内,并且所述支架(30)被插入所述外壳(40)中。

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