[发明专利]制备双面波长转换器和使用所述双面波长转换器的光产生装置的方法

权利要求书

1.一种形成光转换元件的方法，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构具有与第二光致发光元件一起外延生长的第一光致发光元件；

从所述半导体结构的第一侧蚀刻所述第一光致发光元件内的第一区域；以及

从所述半导体结构的第二侧蚀刻所述第二光致发光元件内的第二区域。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括提供附着于第一基底的所述半导体结构以及当所述半导体结构附着于所述第一基底时蚀刻所述第一光致发光元件内的所述第一区域，并且还包括将所述半导体结构从所述第一基底转移到第二基底以及当所述半导体结构附着于所述第二基底时蚀刻所述第二光致发光元件内的所述第二区域。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二基底包括电致发光器件。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第二基底包括中间基底，并且所述方法还包括在蚀刻所述第二区域之后将所述半导体结构从所述中间基底转移到电致发光器件。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括在蚀刻所述第一区域之后为所述第一区域提供第一钝化层。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括平坦化所述第一钝化层。

7.根据权利要求5所述的方法，还包括在蚀刻所述第二区域之后为所述第二区域提供第二钝化层。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括平坦化所述第二钝化层。

9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括提供具有设置在所述第一和第二光致发光元件之间的蚀刻阻挡层的所述半导体结构。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述蚀刻阻挡层由基于硒化镉锌(CdZnSe)的半导体材料形成，并且所述方法还包括通过使所述蚀刻阻挡层暴露于HBr/H₂O/Br₂的溶液来蚀刻所述蚀刻阻挡层。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一光致发光元件包括硒化镉镁锌(CdMgZnSe)，并且蚀刻所述第一光致发光元件包括使所述第一光致发光元件暴露于HCl和HBr中的至少一种的溶液。

12.一种形成多波长发光二极管(LED)的方法，包括：

在波长转换器的第一侧蚀刻第一图案；

在所述波长转换器的第二侧蚀刻第二图案；以及

将所述波长转换器附着于LED。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述波长转换器包括一起外延生长的第一和第二光致发光元件。

14.根据权利要求12所述的方法，其中蚀刻所述第一图案包括在第一光致发光元件内蚀刻所述第一图案，并且蚀刻所述第二图案包括在第二光致发光元件内蚀刻所述第二图案。

15.根据权利要求12所述的方法，还包括在第一蚀刻图案上提供第一钝化层。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括平坦化所述第一钝化层。

17.根据权利要求15所述的方法，还包括在第二蚀刻图案上提供第二钝化层以及平坦化所述第二蚀刻图案。

18.根据权利要求12所述的方法，其中将所述波长转换器附着于LED包括将所述波长转换器直接结合至所述LED。

19.根据权利要求12所述的方法，其中将所述波长转换器附着于LED包括使用粘合剂层将所述波长转换器粘附至所述LED。

20.一种形成半导体器件的方法，包括：

将波长转换器元件附着于电致发光器件，所述波长转换器元件包括半导体层叠堆，所述半导体层叠堆包括第一光致发光元件和窗口层；

利用所述波长转换器的窗口层的第一部分基本上覆盖所述电致发光元件的第一区域；以及

利用所述波长转换器的第一光致发光元件的至少一部分基本上覆盖所述电致发光器件的第二区域，而不覆盖所述电致发光器件的所述第一区域。

21.根据权利要求20所述的方法，其中所述半导体层叠堆还包括第二光致发光元件，所述方法还包括利用所述波长转换器元件的第二光致发光元件基本上覆盖所述电致发光器件的第三区域，而不覆盖所述电致发光器件的第一或第二区域。