[发明专利]高比活度的Sn-117M组合物及其制备方法

权利要求书

1.一种制备高比活度的^117mSn组合物的方法，所述方法包括：

使富集¹¹⁶Cd的靶层(12)暴露于具有约30MeV至约60MeV的入射动能的α-颗粒离子束(16)以将所述靶层(12)内的一部分¹¹⁶Cd转化成^117mSn；

溶解所述靶层(12)以形成含有^117mSn和¹¹⁶Cd的中间溶液；

制备离子交换树脂柱；

将所述中间溶液加载到所述离子交换树脂柱上；

用洗脱液从所述离子交换树脂柱洗脱^117mSn和¹¹⁶Cd以使^117mSn的至少一部分与¹¹⁶Cd的至少一部分分离；和

收集从所述离子交换树脂柱排放的所述洗脱液的至少一部分以提供富集1^17mSn的产物。

2.如权利要求1所述的方法，其中制备所述离子交换树脂柱还包括：

用氧化剂预处理离子交换树脂以形成预处理过的离子交换树脂；和

用所述预处理过的离子交换树脂制备所述离子交换树脂柱。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述氧化剂包括溴酸盐。

4.如权利要求2所述的方法，其中所述氧化剂包括溴酸钠。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述产物中的所有Cd同位素对所述产物中的所有Sn同位素的质量比小于15000∶1。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述产物中的^117mSn的比活度大于100Ci/g。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述产物中的^117mSn具有范围在约500Ci/g至约25000Ci/g的比活度。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述产物中的^117mSn具有范围在约1000Ci/g至约5000Ci/g的比活度。

9.一种物质的组合物，其包括：

比活度大于100Ci/g的^117mSn，

镉，

其中所述组合物中的所有镉同位素对所述组合物中的所有锡同位素的质量比小于15000∶1。

10.如权利要求9所述的组合物，其中^117mSn具有范围在约500Ci/g至约25000Ci/g的比活度。

11.如权利要求9所述的组合物，还包括：

按比活度计小于5％的量的¹¹³Sn。

12.如权利要求9所述的组合物，还包括：

按比活度计小于0.1％的量的¹¹³Sn。

13.如权利要求9所述的组合物，还包括：

至少一种配体，其与^117mSn相结合以形成放射性药物组合物。

14.如权利要求9所述的组合物，还包括：

至少一种螯合剂或至少一种靶分子，其与^117mSn相结合以形成放射性药物组合物。

15.如权利要求9所述的组合物，还包括：

1，4，7，10-四氮杂环十二烷-1，4，7，10-四乙酸(DOTA)，其与^117mSn相结合以形成放射性药物组合物。