[发明专利]晶体管安装体及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体管安装体的制造方法，其具备：

步骤(a)，形成晶体管，所述晶体管具有在形成基板的主面上依次层叠的第1半导体层以及比该第1半导体层带隙大的第2半导体层；

步骤(b)，在所述步骤(a)之后，对所述形成基板上的与所述主面相反侧的面进行研磨；和

步骤(c)，在所述步骤(b)之后，在将所述形成基板的翘曲变小的方向的应力施加于所述形成基板的状态下，将所述晶体管固定于保持基板上；

所述形成基板由与所述第1半导体层以及第2半导体层不同的材料构成。

2.根据权利要求1所述的晶体管安装体的制造方法，其特征在于，

在所述步骤(c)中，在将所述应力施加于所述形成基板之后，在保持所述应力的状态下，粘接所述形成基板和所述保持基板。

3.根据权利要求2所述的晶体管安装体的制造方法，其特征在于，

通过使用按压垫对所述晶体管进行按压来施加所述应力。

4.根据权利要求2所述的晶体管安装体的制造方法，其特征在于，

通过使用应力施加夹具对所述晶体管进行按压来施加所述应力。

5.根据权利要求4所述的晶体管安装体的制造方法，其特征在于，

所述应力施加夹具具有：

按压垫，其隔着所述晶体管与所述保持基板对置；和

按压部，其将所述按压垫向所述保持基板侧按压。

6.根据权利要求1所述的晶体管安装体的制造方法，其特征在于，

所述步骤(c)包含：

在所述保持基板上形成焊料层的步骤；

在所述焊料层熔融的状态下，将所述晶体管载置于所述保持基板上的步骤；

在所述焊料层熔融的状态下，对所述晶体管进行按压的步骤；和

在对所述晶体管进行按压的状态下，将所述焊料层固化的步骤。

7.根据权利要求1所述的晶体管安装体的制造方法，其特征在于，

在所述步骤(c)中，按照所述第1半导体层中的c轴的晶格常数的值，成为构成所述第1半导体层的材料中的c轴的晶格常数的理论值的99.9％以上且100.1％以下的方式进行固定。

8.根据权利要求1所述的晶体管安装体的制造方法，其特征在于，

在所述步骤(c)中，按照所述形成基板的曲率半径成为12000m以上的方式进行固定。

9.根据权利要求1所述的晶体管安装体的制造方法，其特征在于，

在所述步骤(c)之前，还具备步骤(d)，所述步骤(d)将对所述形成基板施加应力的应力施加膜形成于所述第2半导体层上。

10.根据权利要求1所述的晶体管安装体的制造方法，其特征在于，

在所述步骤(c)之前，还具备步骤(d)，所述步骤(d)将对所述形成基板施加应力的应力施加膜形成于所述形成基板的与所述主面相反侧的面上。

11.根据权利要求1所述的晶体管安装体的制造方法，其特征在于，

所述形成基板是硅基板，

所述第1半导体层由氮化镓构成。

12.一种晶体管安装体，其具备：

保持基板；和

晶体管，其固定于所述保持基板上，

所述晶体管具有：在形成基板的主面上依次层叠的第1半导体层以及与该第1半导体层相比带隙大的第2半导体层，

所述形成基板由与所述第1半导体层以及第2半导体层不同的材料构成，

所述第1半导体层中的c轴的晶格常数的值，是构成所述第1半导体层的材料中的c轴的晶格常数的理论值的99.9％以上且100.1％以下。

13.一种晶体管安装体，其具备：

保持基板；和

晶体管，其固定于所述保持基板上，

所述晶体管具有：在形成基板的主面上依次层叠的第1半导体层以及与该第1半导体层相比带隙大的第2半导体层，

所述形成基板由与所述第1半导体层以及第2半导体层不同的材料构成，

所述形成基板的曲率半径是12000m以上。

14.根据权利要求13所述的晶体管安装体，其特征在于，

还具备应力施加夹具，所述应力施加夹具对所述形成基板施加应力。