[发明专利]使用非接触印刷法在半导体衬底中形成硼掺杂区域用的含硼墨和制造这种含硼墨的方法

权利要求书

1.含硼墨，该含硼墨包含：

含硼材料的硼或来自含硼材料的硼；和

铺展最小化添加剂，其导致所述含硼墨的铺展系数为大约1.5至大约6；

其中该含硼墨具有大约1.5至大约50厘泊的粘度并在沉积在半导体衬底上时提供大约10至大约100 欧姆/方块的退火后薄层电阻、大约0.1至大约1 μm的退火后掺杂深度和大约1 x 10¹⁹至1 x 10²⁰个原子/cm³的硼浓度。

2.权利要求1的含硼墨，其中该含硼材料是选自由氧化硼、硼酸、具有式B(OR)₃的硼酸盐及其组合组成的组的材料，其中R是烷基。

3.权利要求1的含硼墨，进一步包含沸点为大约50℃至大约250℃的极性溶剂。

4.权利要求1的含硼墨，其中该铺展最小化添加剂包含选自由异硬脂酸、聚环氧丙烷（PPO）、乙烯基甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物、聚醚改性的聚硅氧烷、有机改性聚硅氧烷及其组合组成的组的材料。

5.权利要求1的含硼墨，其中该含硼材料包含聚合硼嗪树脂。

6.权利要求1的含硼墨，其中该含硼材料包含含硼纳米颗粒。

7.制造含硼墨的方法，该方法包括下列步骤：

提供无机含硼材料；

将该无机含硼材料与沸点为大约50℃至大约250℃的极性溶剂合并；和

将该无机含硼材料与导致所述含硼墨的铺展系数为大约1.5至大约6的铺展最小化添加剂合并。

8.权利要求7的方法，其中提供无机含硼材料的步骤包括提供选自由氧化硼、硼酸、具有式B(OR)₃的硼酸盐及其组合组成的组的材料，其中R是烷基。

9.权利要求7的方法，其中将无机含硼材料与铺展最小化添加剂合并的步骤包括将无机含硼材料与选自由异硬脂酸、聚环氧丙烷（PPO）、乙烯基甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物、聚醚改性的聚硅氧烷、有机改性聚硅氧烷及其组合组成的组的材料合并。

10.配制含硼墨的方法，该方法包括下列步骤：

合并胺和硼给体；

加热该胺和硼给体组合以形成聚合硼嗪树脂；

将沸点为大约50℃至大约250℃的溶剂添加到该聚合硼嗪树脂中；

添加使得所述含硼墨的铺展系数为大约1.5至大约6的铺展最小化添加剂；和

将粘度改变剂添加到该聚合硼嗪树脂中，其中该粘度改变剂产生粘度为大约1.5至大约50厘泊的含硼墨。

11.权利要求10的方法，其中合并胺和硼给体的步骤包含将胺与选自由卤化硼、烷基硼化合物及其组合组成的组的硼给体合并。

12.权利要求10的方法，其中添加铺展最小化添加剂的步骤包括添加选自由异硬脂酸、聚环氧丙烷（PPO）、乙烯基甲基硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物、聚醚改性的聚硅氧烷、有机改性聚硅氧烷及其组合组成的组的材料。

13.制造含硼墨的方法，该方法包括下列步骤：

提供平均尺寸不大于100纳米的含硼纳米颗粒；和

将该含硼纳米颗粒与和该含硼纳米颗粒形成均匀稳定悬浮体的分散剂合并；和

添加使得所述含硼墨的铺展系数为大约1.5至大约6的铺展最小化添加剂。

14.权利要求13的方法，其中提供含硼纳米颗粒的步骤包括提供氧化硼纳米颗粒、氮化硼纳米颗粒、碳化硼纳米颗粒或硼（金属）纳米颗粒。

15.权利要求13的方法，其中将含硼纳米颗粒与分散剂合并的步骤包括将含硼纳米颗粒与选自由氢氧化铵、氢氧化钠、四甲基氢氧化铵、烷基氯硅烷、三烷基氯硅烷、乙酰氯、乙酰酐、烷基烷氧基硅烷、氨基烷基烷氧基硅烷及其组合组成的组的分散剂合并。