[发明专利]成膜方法与成膜装置

权利要求书

1.一种成膜方法，包括：

将设置于沉积室中的第一电极接地；

在第一电极上设置衬底；

向设置于沉积室中并面对第一电极的第二电极供应射频功率和偏压电压，藉此通过等离子体CVD在衬底上形成膜；和

当供应射频功率和偏压电压时，将第二电极的平均电位调节成小于供应射频功率但不供应偏压电压时的第二电极的平均电位。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，

其特征在于形成在所述衬底上的膜是太阳能电池的光电转换层。

3.根据权利要求2所述的成膜方法，

其特征在于，所述光电转换层是晶态半导体或非晶态半导体。

4.根据权利要求1所述的成膜方法，

其特征在于，所述偏压电压是DC电压或其平均值非零的AC电压。

5.根据权利要求1所述的成膜方法，

其特征在于，控制所述偏压电压，以使作为等离子体的相对于第一电极的电位的等离子体电位小于供应射频功率但不供应偏压电压时的等离子体电位，且大于零。

6.根据权利要求5所述的成膜方法，

其特征在于，所述等离子体电位为(V_dc+V_0p)/2，其中所述第二电极的相对于第一电极的平均电位为V_dc且第二电极相对于第一电极的电压幅值为V_0p。

7.根据权利要求6所述的成膜方法，

其特征在于，控制所述偏压电压以使所述等离子体电位小于100V。

8.根据权利要求6所述的成膜方法，

其特征在于，测量线与所述第二电极相连，但与所述射频功率的功率供应线分离；和

所述测量线用于测量第二电极的平均电位V_dc和电压幅值V_0p。

9.根据权利要求1所述的成膜方法，

其特征在于，通过去除从射频电源供应的高频分量的射频截止滤波器向第二电极供应所述偏压电压。

10.一种成膜方法，包括：

在设置于沉积容器中的第一电极上设置衬底；

向第二电极供应射频功率以产生等离子体，所述第二电极设置于沉积室中并面对第一电极；

向第一电极或第二电极供应偏压电压；以及

根据(V_dc+V_0p)/2的等离子体电位控制所述偏压电压以执行等离子体CVD，

其中V_dc是第二电极相对于第一电极的平均电位，V_0p是所述第二电极的相对于第一电极的电压幅值。

11.根据权利要求10所述的成膜方法，

其特征在于，控制所述偏压电压，以使所述等离子体电位小于供应射频功率但不供应射频电压时的等离子体电位，并执行等离子体CVD。

12.根据权利要求11所述的成膜方法，

其特征在于，控制所述偏压电压，以使作为等离子体的相对于所述第一电极的电位的所述等离子体电位大于零，并执行等离子体CVD以在所述衬底上成膜。

13.根据权利要求10所述的成膜方法，

其特征在于，控制所述偏压电压以使所述等离子体电位小于100V，并执行等离子体CVD。

14.根据权利要求10所述的成膜方法，

其特征在于，形成在所述衬底上的膜是太阳能电池的光电转换层。

15.根据权利要求14所述的成膜方法，

其特征在于，所述光电转换层是晶态半导体或非晶态半导体。

16.根据权利要求10所述的成膜方法，

其特征在于，所述偏压电压是DC电压或其平均值非零的AC电压。

17.根据权利要求16所述的成膜方法，

其特征在于，所述偏压电压是AC电压，且其频率低于射频功率的频率。

18.根据权利要求10所述的成膜方法，

其特征在于，向第二电极供应所述偏压电压，以及

所述第一电极接地。