[发明专利]光电半导体器件有效
| 申请号： | 200980158010.5 | 申请日： | 2009-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102349160A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | M·齐茨尔斯佩格 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/0203 | 分类号： | H01L31/0203;H01L33/52;H01L33/54;H01L33/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;李家麟 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 半导体器件 | ||
1.光电半导体器件(100)，带有
—载体(1)，该载体有安装面(11)以及至少一个穿孔(3)，其中穿孔(3)从所述安装面(11)延伸至所述载体(1)的与安装面(11)对立的底面(12)；
—固定在安装面(11)上的至少一个光电半导体芯片(2)；
—辐射能穿透的浇注体(5)，该浇注体至少部分地围住所述的至少一个光电半导体芯片(2)；其中
—浇注体(5)至少是部分地被安置在载体(1)的穿孔(3)内。
2.根据前述权利要求所述的光电半导体器件(100)，其中，至少一个穿孔(3)是由载体(1)内的至少两个凹口(31，32)形成，所述凹口在其最大的横向伸展方面互不相同。
3.根据权利要求2所述的光电半导体器件(100)，其中，凹口(31，32)由半径互不相同的圆柱形开口形成。
4.根据前述权利要求中任一项所述的光电半导体器件(100)，其中，至少一个穿孔(3)有至少一个凸起(60)。
5.根据前述权利要求中任一项所述的光电半导体器件(100)，其中，至少一个穿孔(3)至少在一些地方呈漏斗形，其中，穿孔(3)从底面(12)开始向安装面(11)方向在横向上逐渐缩小。
6.根据前述权利要求中任一项所述的光电半导体器件(100)，其中，载体(1)中没有被浇注体(5)覆盖的地方至少部分地被外壳(4)盖住。
7.根据权利要求6所述的光电半导体器件(100)，其中，至少一个半导体芯片(2)被壳体(4)的突起部分(41)和/或下沉部分从侧面镶边。
8.根据权利要求7所述的光电半导体器件(100)，其中，突起部分(41)至少在一些地方呈山脊形。
9.根据权利要求6～8中任一项所述的光电半导体器件(100)，其中，壳体(4)上的下沉部分是小沟。
10.根据权利要求6～9中任一项所述的光电半导体器件(100)，其中，浇注体(5)使突起部分(41)至少部分地重新成型。
11.根据权利要求6～10中任一项所述的光电半导体器件(100)，其中，浇注体(5)至少部分地被安置在下沉部分中。
12.制造光电半导体器件(100)的方法，包含下述步骤：
—准备联合载体(110)，
—在每个载体(1)中制作至少一个穿孔，
—在每个载体(1)的安装面(11)上安装至少一个光电半导体芯片(2)，
—给至少一个半导体芯片(2)和至少一个穿孔(3)浇注一种浇注材料，随后硬化成浇注体(5)，
—把联合载体(110)拆分成单个载体(1)。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，在浇注所述浇注材料之前给联合载体(110)浇注壳体材料。
14.根据权利要求12～13中任一项所述的方法，其中，制造根据权利要求1～11的光电半导体器件。
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