[发明专利]光电动势装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光电动势装置的制造方法，其特征在于，包含：

杂质扩散层形成工序，在第1导电型的硅基板的第1主表面侧形成扩散了第2导电型的杂质的杂质扩散层；

防反射膜形成工序，在所述杂质扩散层上形成防反射膜；

背面钝化膜形成工序，在所述硅基板的第2主表面上形成由SiONH膜构成的背面钝化膜；

表面电极形状形成工序，在所述防反射膜上以表面电极形状形成包含银的膏材料；

表面电极形成工序，焙烧所述硅基板来形成与所述杂质扩散层接触的表面电极；

背面电极形状形成工序，在所述背面钝化膜上以背面电极形状形成包含金属的膏材料；以及

背面电极形成工序，向所述背面电极的形成位置照射激光来使所述膏材料中的金属熔融、凝固而形成背面电极。

2.根据权利要求1所述的光电动势装置的制造方法，其特征在于，

在所述背面电极形成工序之后还包含背面反射金属膜形成工序，该背面反射金属膜形成工序在形成了所述背面电极的所述背面钝化膜上形成背面反射金属膜，该背面反射金属膜由对于800～1200nm的波长范围的红外线的反射率比铝高的金属构成。

3.根据权利要求2所述的光电动势装置的制造方法，其特征在于，

所述背面反射金属膜是通过从由Ag、Au、Pt、Pd、Ti、Cu、Sn构成的群中选择的至少1种金属形成。

4.根据权利要求1所述的光电动势装置的制造方法，其特征在于，

所述背面电极形状形成工序包含：

对所述背面钝化膜设置背面电极形状的开口部的工序；

在所述开口部形成所述包含金属的膏材料的工序；以及

向所述开口部的形成位置照射激光来使所述膏材料中的金属熔融、凝固而在所述开口部形成所述背面电极的工序。

5.根据权利要求1所述的光电动势装置的制造方法，其特征在于，

在所述表面电极形状形成工序中，将所述表面电极图案形成在所述杂质扩散层上，所述表面电极图案具有沿第1方向延伸且平行地配置多个的栅电极图案、以及沿第2方向延伸且连接所述栅电极图案之间的总线电极图案，

在所述背面电极形状形成工序中，将背面电极图案形成在所述硅基板的第2主表面上，所述背面电极图案具有沿所述第1方向延伸且平行地配置多个的背面集电电极图案、以及沿所述第2方向延伸且连接所述背面集电电极图案之间的背面取出电极图案，并且在将所述栅电极图案的形成位置投影到所述第2主表面上时，所述背面集电电极图案形成在所述栅电极图案的形成位置之间。

6.根据权利要求1所述的光电动势装置的制造方法，其特征在于，

在所述背面电极形状形成工序中使用的所述膏材料是以铝为主成分的膏材料。

7.一种光电动势装置，其特征在于，具备：

第1导电型的硅基板；

杂质扩散层，在所述硅基板的第1主表面侧扩散了第2导电型的杂质；

表面电极，形成在所述杂质扩散层上；

防反射膜，形成在所述杂质扩散层上的没有形成所述表面电极的区域；

背面电极，在所述硅基板的第2主表面上通过Si-Al合金形成；

背面钝化膜，形成在所述硅基板的第2主表面上的没有形成所述背面电极的区域，且由SiONH膜构成；

背面反射金属膜，在所述背面电极和所述背面钝化膜上由对于800～1200nm的波长范围的红外线的反射率比铝高的金属构成。

8.根据权利要求7所述的光电动势装置，其特征在于，

所述背面反射金属膜是通过从由Ag、Au、Pt、Pd、Ti、Cu、Sn构成的群中选择的至少1种金属形成。

9.一种光电动势装置，其特征在于，具备：

第1导电型的硅基板；

杂质扩散层，在所述硅基板的第1主表面侧扩散了第2导电型的杂质；

表面电极，形成在所述杂质扩散层上，具有沿第1方向延伸且平行地配置多个的栅电极、以及沿第2方向延伸且连接所述栅电极之间的总线电极；

防反射膜，形成在所述杂质扩散层上的没有形成所述表面电极的区域；

背面电极，在所述硅基板的第2主表面上通过Si-Al合金形成，具有沿所述第1方向延伸且平行地配置多个的背面集电电极、以及沿所述第2方向延伸且连接所述背面集电电极之间的背面取出电极；以及

背面钝化膜，形成在所述硅基板的所述第2主表面上的没有形成所述背面电极的区域，且由SiONH膜构成，

其中，当将所述栅电极的形成位置投影到所述第2主表面上时，所述背面集电电极形成在所述栅电极的形成位置之间。