[发明专利]金属氧化膜的成膜方法、金属氧化膜及金属氧化膜的成膜装置

说明书

技术领域

本发明涉及在基板上形成金属氧化膜的金属氧化膜的成膜方法、及可实施该金属氧化膜的成膜方法的金属氧化膜的成膜装置。还涉及通过该金属氧化膜的成膜方法而形成的金属氧化膜。

背景技术

在太阳能电池、发光器件或触摸屏等领域，在基板上形成金属氧化膜。作为现有的在基板上形成金属氧化膜的非真空成膜技术，有专利文献1、2、3。

专利文献1的技术是通过使溶解有金属盐或金属络合物的溶液与经加热的基板接触，从而在基板上形成金属氧化膜。这里，该溶液中含有氧化剂和还原剂中的至少一方。

专利文献2的技术是将添加有过氧化氢作为氧化剂的四丁基锡或四氯化锡溶液喷雾至预热过的基板而使其热分解。然后，待因该溶液的喷雾而下降的基板温度恢复后，反复实施该溶液的喷雾操作。藉此，使氧化锡薄膜在基板表面生长。

专利文献3的技术是从上方朝保持一定热度的基板间歇喷雾溶解于挥发性溶剂的薄膜材料，从而在基板表面形成透明导电膜。这里，间歇喷雾采用1次喷雾时间在一百毫秒以下的高速脉冲间歇喷雾。

专利文献1：日本专利特开2006-160600号公报

专利文献2：日本专利特开2002-146536号公报

专利文献3：日本专利特开2007-144297号公报

发明内容

现状中，希望有一种可以使形成的金属氧化膜维持在低电阻且进一步提高生产效率的成膜方法。

于是，本发明的目的是提供一种可以使形成的金属氧化膜维持在低电阻且进一步提高生产效率的金属氧化膜的成膜方法、及可以实施该成膜方法的金属氧化膜的成膜装置。还提供通过该金属氧化膜的成膜方法而形成的金属氧化膜。

为了实现上述目的，根据本发明，金属氧化膜的成膜方法及金属氧化膜的成膜装置使含有金属元素和氨的溶液雾化。另一方面，加热基板。然后，向该加热中的基板的第一主面上供给经雾化的溶液。

根据本发明，金属氧化膜的成膜方法及金属氧化膜的成膜装置向加热中的基板的第一主面上供给含有经雾化的金属元素的溶液。在该溶液中还含有氨。

因而，可以使形成的金属氧化膜维持低电阻且使该金属氧化物的生产效率进一步提高。

通过以下的详细说明和附图，可使本发明的目的、特征、形式及优点更明了。

附图说明

图1是表示实施方式1的金属氧化膜的成膜装置的简要结构的图。

图2是对含有指定含量的氨的溶液的制作方法进行说明的图。

图3是表示在确定溶液4中氨含量时所使用的氨含量、载流子浓度和迁移率之间的关系的图。

图4是表示在确定溶液4中氨含量时所使用的氨含量、载流子浓度和迁移率之间的关系的图。

图5是对采用实施方式1的成膜方法时的效果进行说明的图。

图6是对采用实施方式1的成膜方法时的效果进行说明的图。

图7是对采用实施方式1的成膜方法时的效果进行说明的图。

图8是对采用实施方式1的成膜方法时的效果进行说明的图。

图9是表示实施方式2的金属氧化膜的成膜装置的简要结构的图。

图10是对采用实施方式2的成膜方法时的效果进行说明的图。

具体实施方式

<实施方式1>

图1是表示本实施方式的金属氧化膜的成膜装置的简要结构的图。

如图1所示，实施方式1的金属氧化膜的成膜装置100由反应容器1、加热器3、溶液容器5和雾化器6构成。

该成膜装置100可实施喷雾热解法、高温溶胶法或雾化沉积法等。即，成膜装置100通过向基板2的第一主面上喷洒经雾化的规定溶液，可在该基板2的第一主面上形成规定的金属氧化膜。

在加热器3上载放有基板2的状态下，通过反应容器1内的规定的反应在基板2的第一主面上形成金属氧化膜。此外，在基板2载放于加热器3上的状态下，使该基板2的第二主面与加热器3接触。由上文所述可知，本说明书中所述的基板2的第一主面是指形成金属氧化膜的一侧的基板2的主面。与之相对，本说明书中所述的基板2的第二主面是指载放于加热器3的一侧的基板2的主面。

这里，既可以使反应容器1内部达到大气压，并在该大气压下在基板2上形成金属氧化膜，或者也可以在将反应容器1内部减压至0.0001～0.1MPa的范围的同时在该减压环境下在基板2上形成金属氧化膜。