[发明专利]移动台、具有移动台的输送装置及带电粒子束装置无效
申请号: | 200980158961.2 | 申请日: | 2009-09-30 |
公开(公告)号: | CN102414811A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 宗石猛;明石幸治 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/027 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 移动 具有 输送 装置 带电 粒子束 | ||
技术领域
本发明涉及在例如半导体制造装置或液晶制造装置中用于输送试料的移动台及具有该移动台的输送装置、以及带电粒子束装置。
背景技术
作为在制造半导体设备时使用的装置,有使用电子束或离子束的图案描绘装置及检查装置。在这些装置中,为了使试料移动到目标位置而使用的移动台例如在基座上配置有沿X轴方向移动的X台,并在X台上配置有沿Y轴方向移动的Y台。并且,提出有一种以与X台的移动方向平行的方式对Y台设置滑动件,并对动力传递部即Y驱动轴设置由固定辊和按压辊构成的辊钩部(ロ一ラフツク部)的结构(例如,日本特开2007-184193号公报)。在该结构中,Y驱动轴被固定于直线电动机,滑动件在固定辊与按压辊之间能够沿着X轴方向移动。
然而,在专利文献1的结构中,在滑动件与按压辊及固定辊之间容易发生打滑,从而会产生Y台的位置精度变差的问题。
因此,追求一种抑制台的位置精度恶化的技术。
发明内容
本发明的一形态的移动台具有第一台、第二台、生成部、动力传递部。第一台能够沿着第一方向移动。第二台其至少一部分位于第一台上且能够沿着与第一方向交叉的第二方向进行移动。生成部生成用于使第二台沿着第二方向移动的驱动力。动力传递部从生成部向第二台传递驱动力,且至少一部分伴随着第一台的移动而进行动作。
本发明的一形态的输送装置具有移动台和控制生成部的动作的控制器。
本发明的一形态的带电粒子束装置具有能够向第二台上载置试料的输送装置和设置在第二台的上方并对试料照射带电粒子束的带电粒子束源。
根据本发明的一形态的移动台及输送装置,能够抑制台的位置精度的恶化。
根据本发明的一形态的带电粒子束装置,能够更高精度地向对称物的所希望的位置照射带电粒子束。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式的移动台的俯视图。
图2是本发明的第一实施方式的移动台的侧视图,是从图1的箭头A方向观察而得到的侧视图。
图3是图1的B-B线处的剖视图。
图4是图1的由虚线C包围的部分的剖视图,是图2的D-D线的截面的俯视观察时的图。
图5是本发明的第二实施方式的移动台的俯视图。
图6是本发明的第二实施方式的移动台的侧视图,是从图5的箭头E方向观察而得到的侧视图。
图7是表示图6的F-F线处的旋转轴的一部分及齿轮部的截面的图。
图8是本发明的第二实施方式的移动台的一变形例的俯视图。
图9是图8的H-H线处的旋转轴的一部分及齿轮部的截面的从箭头G方向观察时的图。
图10是本发明的第三实施方式的移动台的俯视图,尤其是详细地表示微调机构的结构的图。
图11是图10的J-J线处的剖视图。
图12是本发明的第三实施方式的移动台的一变形例的俯视图。
图13是详细地表示图12的移动台的微调机构的结构的图。
图14是图13的K-K线处的剖视图。
图15是表示本发明的输送装置的结构例的俯视图。
图16是表示使用了本发明的实施方式的移动台的带电粒子束装置的结构例的侧视图。
具体实施方式
以下,参照附图,详细地说明本发明的实施方式。需要说明的是,在图4以外的全部的附图中标注有正交坐标系的X轴、Y轴及Z轴。而且,为了便于说明,在图1、图5、图8、图10、图12、图13、图15中标注有俯视观察移动台1时看不见的Y滚珠丝杠17。
(第一实施方式)
如图1-图3所示,第一实施方式的移动台1A具有基台11、在基台11上能够沿着X轴方向呈直线状移动的X台12、在X台12上能够沿着Y轴方向呈直线状移动的Y台13。而且,移动台1A具有:在基台11的上表面以沿着X轴方向延伸的方式设置的X直线引导件14;在X台12的上表面以沿着Y轴方向延伸的方式设置的Y直线引导件15。X台12由X直线引导件14引导,Y台13由Y直线引导件15引导。基台11、X台12及Y台13配置在由强磁性体即纯铁、低碳钢或坡莫合金等制作的真空腔室3内。
需要说明的是,X直线引导件14和Y直线引导件15在俯视观察时以正交的方式设置,因此配置在移动台1A上的晶片等试料能够在XY平面中自如地移动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造