[发明专利]表面波等离子体CVD设备以及成膜方法

权利要求书

1.一种表面波等离子体CVD设备，其包括：

波导，其形成有多个槽孔天线并且连接到微波源；

电介质构件，其将从所述多个槽孔天线发出的微波导入到等离子体处理室中以产生表面波等离子体；

移动装置，其以使基板状的成膜对象经过面对所述电介质构件的成膜处理区域的方式使所述成膜对象往复运动；以及

控制装置，其根据成膜条件通过所述移动装置控制所述成膜对象的往复运动以在所述成膜对象上进行成膜。

2.根据权利要求1所述的表面波等离子体CVD设备，其特征在于，

所述等离子体处理室设置有所述成膜对象不面对所述电介质构件的第一待机区域和第二待机区域，使得面对所述电介质构件的所述成膜处理区域沿着所述成膜对象的移动路线被所述第一待机区域和所述第二待机区域夹在中间，以及

所述移动装置使所述成膜对象在所述第一待机区域和所述第二待机区域之间往复运动。

3.根据权利要求1或2所述的表面波等离子体CVD设备，其特征在于，所述表面波等离子体CVD设备还包括：

气体喷出部，其在所述电介质构件和经过所述成膜处理区域的所述成膜对象之间喷出材料处理气体；以及

气体折流构件，其布置为面对所述气体喷出部的喷出方向并且使喷出的所述材料处理气体在所述表面波等离子体产生的区域中对流。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的表面波等离子体CVD设备，其特征在于，

控制所述成膜对象的温度的背板布置在所述成膜对象被所述移动装置移动经过的整个区域。

5.根据权利要求4所述的表面波等离子体CVD设备，其特征在于，所述表面波等离子体CVD设备还包括：

背板驱动装置，其改变所述成膜对象和所述背板之间的距离。

6.根据权利要求4或5所述的表面波等离子体CVD设备，其特征在于，

所述成膜对象包括膜状基板，

所述背板在面对所述电介质构件的区域中支撑所述膜状基板，以及

所述移动装置以使得所述膜状基板的要形成膜的区域经过所述成膜处理区域的方式使所述膜状基板往复运动。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的表面波等离子体CVD设备，其特征在于，

所述成膜对象包括基板上的功能器件，并且形成保护所述功能器件的保护膜。

8.一种成膜方法，其通过使用根据权利要求1-7中任一项所述的表面波等离子体CVD设备在成膜对象上成膜，所述方法包括：

在往复运动的去路和回路中在不同的成膜条件下形成膜层，由此形成在所述不同的成膜条件下形成的所述膜层层叠而成的薄膜。