[发明专利]微细加工处理剂及微细加工处理方法有效
| 申请号： | 200980159339.3 | 申请日： | 2009-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN102428547A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 宫下雅之;久次米孝信;二井启一 | 申请（专利权）人： | 斯泰拉化工公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微细 加工 处理 方法 | ||
1.一种微细加工处理剂，其特征在于，含有：
(a)0.01～15重量％的氟化氢或者0.1～40重量％的氟化铵中的至少1种，
(b)水，及
(c)0.001～10重量％的选自丙烯酸、丙烯酸铵、丙烯酸酯、丙烯酰胺、苯乙烯磺酸、苯乙烯磺酸铵及苯乙烯磺酸酯中的至少1种水溶性聚合物。
2.根据权利要求1所述的微细加工处理剂，其特征在于，所述水溶性聚合物为丙烯酸铵与丙烯酸甲酯的共聚物。
3.根据权利要求1所述的微细加工处理剂，其特征在于，所述水溶性聚合物为聚丙烯酰胺。
4.根据权利要求1所述的微细加工处理剂，其特征在于，所述水溶性聚合物的重均分子量为1000～100万的范围内。
5.根据权利要求1所述的微细加工处理剂，其特征在于，
对氧化硅膜在25℃的蚀刻速度为1～5000nm/分钟的范围内。
6.根据权利要求1所述的微细加工处理剂，其特征在于，所述微细加工处理剂含有表面活性剂。
7.根据权利要求1所述的微细加工处理剂，其特征在于，所述表面活性剂的添加量为0.001～0.1重量％。
8.根据权利要求6所述的微细加工处理剂，其特征在于，所述(a)成分仅由氟化氢构成，所述表面活性剂是选自聚乙二醇烷基醚、聚乙二醇烷基苯基醚及聚乙二醇脂肪酸酯中的至少任1种非离子表面活性剂。
9.根据权利要求6所述的微细加工处理剂，其特征在于，所述(a)成分由氢氟酸及氟化铵构成或者仅由氟化铵构成，所述表面活性剂为选自脂肪族醇、脂肪族羧酸、氢氟烷基醇、氢氟烷基羧酸、氢氟烷基羧酸的盐、脂肪族胺盐及脂肪族磺酸中的至少任1种。
10.根据权利要求1所述的微细加工处理剂，其特征在于，所述(a)成分中含有无机酸。
11.根据权利要求1所述的微细加工处理剂，其特征在于，所述无机酸的添加量为0.01～30重量％。
12.根据权利要求1所述的微细加工处理剂，其特征在于，所述(a)成分中不含有机酸。
13.一种微细加工处理方法，其特征在于，利用权利要求1所述的微细加工处理剂对至少层叠有氧化硅膜及氮化硅膜的层叠膜进行微细加工。
14.根据权利要求13所述的微细加工处理方法，其特征在于，所述氧化硅膜为自然氧化膜、热氧化硅膜、非掺杂硅酸盐玻璃膜、磷掺杂硅酸盐玻璃膜、硼掺杂硅酸盐玻璃膜、磷硼掺杂硅酸盐玻璃膜、TEOS膜或者含氟氧化硅膜中的任一种。
15.根据权利要求13所述的微细加工处理方法，其特征在于，所述氮化硅膜为氮化硅膜或者氧氮化硅膜。
16.根据权利要求13所述的微细加工处理方法，其特征在于，所述微细加工处理剂在其液温为5～50℃的范围内使用。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
