[发明专利]在基板上形成有机材料层的方法

权利要求书

1.一种用于在连续式沉积系统中的基板上形成具有层厚度的有机材料层的方法，其中，通过注入器的多个开口按预定的沉积率分布把有机材料沉积到到基板上，所述注射器相对于基板而运动，其特征在于，预定的沉积率分布是非恒定沉积分布，所述非恒定沉积分布包括第一沉积率范围和第二沉积率范围，所述第一沉积率范围被设置成按第一预定平均沉积率把有机材料层的至少一个第一单层沉积到基板上，所述第二沉积率范围被设置成按第二预定平均沉积率把有机材料层的至少一个第二单层沉积到设置在基板上的至少第一单层之上，第一平均沉积率小于第二平均沉积率，并且通过注入器的开口朝着基板注入有机材料的注入过程被控制以实现预定的沉积率分布。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定的沉积率分布是由小于0.1纳米/秒的第一预定平均沉积率以及大于1纳米/秒的第二预定平均沉积率来表征的。

3.如前面权利要求中任何一项所述的方法，其特征在于，所述预定的沉积率分布是不对称沉积率分布。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预定的沉积率分布具有上升沿和后沿，其中后沿实质上比上升沿要陡。

5.如前面权利要求中任何一项所述的方法，其特征在于，通过所述注入器的多个开口来提供携带有机材料的气体，并且通过所述注入器的开口来注入有机材料的注入过程是通过控制载气的气流来进行控制的。

6.如前面权利要求中任何一项所述的方法，其特征在于，控制通过所述注入器来注入有机材料的注入过程包括：适配所述注入器的多个开口中的至少一部分开口的参数。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，适配参数包括：适配多个开口中的至少一部分开口的尺寸、形状、取向、深度和/或位置。

8.如权利要求6-7中任何一项所述的方法，其特征在于，适配参数包括：适配多个开口中的至少一部分开口之间的距离。

9.如权利要求5-8中任何一项所述的方法，其特征在于，控制流向所述基板的气流包括：适配连续式沉积系统的加工腔室的几何参数。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，适配几何参数包括：适配所述注入器和所述基板之间的距离。

11.如权利要求9-10中任何一项所述的方法，其特征在于，适配几何参数包括：适配所述基板的表面和所述注入器的表面之间的角度。

12.如权利要求9-11中任何一项所述的方法，其特征在于，适配几何参数包括：适配泵端口的位置。

13.如权利要求1-12中任何一项所述的方法，其特征在于，所述有机材料是有机半导体材料。

14.如权利要求1-13中任何一项所述的方法在形成有机薄膜晶体管的加工过程中的用途。

15.一种在连续式沉积系统中使用的注入器，其中，所述注入器包括孔的至少第一和第二行，这些行被设置在所述注入器的纵向方向上并且彼此平行，并且孔的第一行要比孔的第二行更接近所述注入器的前沿，所述注入器被配备有控制机构，所述控制机构用于控制根据权利要求1中预定的沉积率分布通过孔的第一和第二行进行注入的注入过程。

16.如权利要求15所述的注入器，其特征在于，所述控制机构包括第一行的孔之间的距离比第二行的孔之间的距离要大。

17.如权利要求15-16中任何一项所述的注入器，其特征在于，所述控制机构包括第一行的孔的尺寸比第二行的孔的尺寸要小。

18.如权利要求15-17中任何一项所述的注入器，其特征在于，所述控制机构包括第一行的孔的深度比第二行的孔的深度要大。

19.一种连续式沉积系统，所述连续式沉积系统根据权利要求1-13中任何一项在基板上形成具有层厚度的有机材料层，所述连续式沉积系统包括如权利要求15-18中任何一项所述的注入器。

20.如权利要求19所述的连续式沉积系统，其特征在于，使所述注入器以可拆卸的方式附加到所述连续式沉积系统。