[发明专利]石墨结构体、电子部件及电子部件的制造方法有效
申请号: | 200980159632.X | 申请日: | 2009-06-16 |
公开(公告)号: | CN102448879A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 近藤大雄;佐藤信太郎;岩井大介 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | C01B31/04 | 分类号: | C01B31/04;H01L35/22;H01L35/32 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔香丹;洪燕 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨 结构 电子 部件 制造 方法 | ||
1.一种石墨结构体,其特征在于,
具有石墨烯片的层叠体以穹顶状弯曲而成的多个晶畴,
所述多个晶畴配置成平面状,且相邻的晶畴之间互相接触。
2.如权利要求1所述的石墨结构体,其特征在于,
所述晶畴的大小为20nm~500nm。
3.如权利要求1或2所述的石墨结构体,其特征在于,
所述晶畴的高度为20nm~5000nm。
4.一种电子部件,其特征在于,
包含石墨结构体,所述石墨结构体具有石墨烯片的层叠体以穹顶状弯曲而成的多个晶畴,该多个晶畴配置成平面状,且相邻的晶畴之间互相接触。
5.如权利要求4所述的电子部件,其特征在于,具有:
包含所述石墨结构体的热电转换材料膜;
形成于所述热电转换材料膜的一端部、且与所述石墨结构体相连接的第一电极;以及
形成于所述热电转换材料膜的另一端部、且与所述石墨结构体相连接的第二电极。
6.如权利要求4所述的电子部件,其特征在于,
所述热电转换材料膜包含多个所述石墨结构体,并通过树脂层对多个所述石墨结构体进行层叠而成。
7.如权利要求4所述的电子部件,其特征在于,
还具有在所述石墨结构体上方形成的多个碳元素的线状结构体。
8.如权利要求7所述的电子部件,其特征在于,
还具有在多个所述线状结构体的间隙填充的填充层。
9.如权利要求7所述的电子部件,其特征在于,
多个所述线状结构体为碳纳米管。
10.一种电子部件的制造方法,其特征在于,包括:
在基板上形成催化剂金属膜的工序;
使所述催化剂金属膜的表面粗糙化的工序;以及
通过将粗糙化后的所述催化剂金属膜作为催化剂来生长石墨,从而形成具有对应于所述催化剂金属膜的所述表面的凹凸形状而形成的多个穹顶状石墨的晶畴的石墨结构体的工序。
11.如权利要求10所述的电子部件的制造方法,其特征在于,
所述多个穹顶状石墨的晶畴配置成平面状,且相邻的晶畴之间互相接触。
12.如权利要求10或11所述的电子部件的制造方法,其特征在于,
在使所述催化剂金属膜的所述表面粗糙化的工序中,在所述催化剂金属膜的所述表面,形成20nm~500nm大小的凹凸。
13.如权利要求10至12中任一项所述的电子部件的制造方法,其特征在于,还包括:
在所述石墨结构体上形成树脂层的工序;
去除所述基板和所述催化剂金属膜,形成包含所述石墨结构体和所述树脂层的热电转换材料膜的工序;以及
在所述热电转换材料膜的一端部形成第一电极,在所述热电转换材料膜的另一端部形成第二电极的工序。
14.如权利要求13所述的电子部件的制造方法,其特征在于,
在所述形成热电转换材料膜的工序中,制备多个去除所述基板和所述催化剂金属膜而成的所述石墨结构体与所述树脂层的层叠体,通过层叠多个所述层叠体,形成通过所述树脂层对多个所述石墨结构体进行层叠而成的所述热电转换材料膜。
15.如权利要求14所述的电子部件的制造方法,其特征在于,
采用热塑性树脂形成所述树脂层,
在所述形成热电转换材料膜的工序中,通过在层叠所述层叠体后进行热处理,使多个所述层叠体一体化。
16.如权利要求10至12中任一项所述的电子部件的制造方法,其特征在于,还包括:
在所述石墨结构体的上方生长多个碳元素的线状结构体的工序;
在所述多个线状结构体之间形成用于支撑所述多个线状结构体的填充层的工序;以及
去除所述基板和所述催化剂金属膜的工序。
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