[发明专利]放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置

权利要求书

1.一种放射线检测器，具备将放射线变换为电荷信号的变换层，该放射线检测器的特征在于，

上述变换层是Zn浓度为1mol％以上且5mol％以下而Cl浓度为1ppmwt以上且3ppmwt以下的Cl掺杂CdZnTe多晶化合物半导体层。

2.根据权利要求1所述的放射线检测器，其特征在于，

上述变换层是Zn浓度为1mol％以上且2mol％以下而Cl浓度为1ppmwt以上且2ppmwt以下的Cl掺杂CdZnTe多晶化合物半导体层。

3.根据权利要求1或者2所述的放射线检测器，其特征在于，

在上述变换层的单面或者两面上形成有载流子注入阻止层，该载流子注入阻止层阻止电子或者空穴向上述变换层注入。

4.根据权利要求3所述的放射线检测器，其特征在于，

上述载流子注入阻止层为n型半导体层或者p型半导体层。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的放射线检测器，其特征在于，

还具备有源矩阵基板，该有源矩阵基板针对将上述变换层分割为二维矩阵状而得到的每个检测元件读取上述电荷信号。

6.根据权利要求5所述的放射线检测器，其特征在于，

通过连接电极将层叠有上述变换层的相对基板与上述有源矩阵基板连接。

7.一种放射线摄像装置，其特征在于，具备：

放射线照射单元，其向被检体照射放射线；

放射线检测器，其将透过了被检体的放射线在变换层中变换为电荷信号，并且将上述电荷信号作为电信号而发送；以及

图像处理部，其基于上述电信号来构成被检体的放射线透过图像，

其中，上述变换层是Zn浓度为1mol％以上且5mol％以下而Cl掺杂浓度为1ppmwt以上且3ppmwt以下的Cl掺杂CdZnTe多晶化合物半导体层。

8.一种放射线检测器的制造方法，该放射线检测器具备将放射线变换为电荷信号的变换层，该制造方法的特征在于，

使用近空间升华法来形成Zn浓度为1mol％以上且5mol％以下而Cl掺杂浓度为1ppmwt以上且3ppmwt以下的Cl掺杂CdZnTe多晶化合物半导体层作为上述变换层。