[发明专利]SiC单晶的制造方法有效
| 申请号： | 200980159861.1 | 申请日： | 2009-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN102471927A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 旦野克典;关章宪;斋藤广明;河合洋一郎 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种SiC单晶的制造方法，通过在石墨坩埚内使SiC晶种接触含有Si的熔液，在该SiC晶种上生长SiC单晶，该制造方法的特征在于，使所述SiC晶种接触C不饱和的状态的该熔液。
2.根据权利要求1所述的SiC单晶的制造方法，其特征在于，在进行所述生长的温度以下的温度进行所述接触，并且，在该接触的状态下不进行温度保持。
3.根据权利要求1所述的SiC单晶的制造方法，其特征在于，在从所述接触之前到所述生长开始的期间，将提高C向所述熔液溶解的溶解度的元素添加到该熔液中。
4.根据权利要求3所述的SiC单晶的制造方法，其特征在于，在进行所述生长的温度下进行60分钟以下的温度保持后，进行所述接触。
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