[发明专利]石墨膜及石墨膜的制造方法

权利要求书

1.石墨膜的制造方法，它是具有以在内芯上卷绕由碳化的高分子膜形成的热处理膜的状态，在2000℃以上的温度进行热处理的石墨化工序的石墨膜的制造方法，其特征在于，所述石墨化工序包含进行所述热处理膜的卷紧的卷紧工序。

2.如权利要求1所述的石墨膜的制造方法，其特征在于，在所述卷紧工序中，按照达到w0/r0×100≤7的状态将所述热处理膜卷紧，该r0为内芯的外周的长度，w0为内芯和第1层的热处理膜的空间距离。

3.如权利要求1或2所述的石墨膜的制造方法，其特征在于，在所述卷紧工序中，按照达到在所存在的N_h的热处理膜间空间中的N_h×0.5以上的热处理膜间空间中距离w_n≤5mm的状态将所述热处理膜卷紧，该N_h为热处理膜的卷绕圈数，w_n为第n层的热处理膜和第n+1层的热处理膜之间的空间的距离，其中，n为0～N_h-1的整数，第0层为内芯的外表面。

4.如权利要求1～3所述的石墨膜的制造方法，其特征在于，在所述卷紧工序中，按照达到(r_n+1-r_n)/r_n×100≤8的状态将所述热处理膜卷紧，该r_n为第n层热处理膜的卷绕长度，r_n+1为第n+1层热处理膜的卷绕长度，其中，n为0或自然数，r0为内芯的外周的长度。

5.如权利要求1～4所述的石墨膜的制造方法，其特征在于，在所述卷紧工序中，按照达到1≤D/(N_h×d)≤2.5的状态将所述热处理膜卷紧，该N_h为热处理膜的卷绕圈数，d为热处理膜的每1层的厚度，D为热处理膜的表观卷厚。

6.如权利要求1～5所述的石墨膜的制造方法，其特征在于，在所述卷紧工序中，进行热处理至2200℃以上后，进行热处理膜的卷紧。

7.如权利要求1～6所述的石墨膜的制造方法，其特征在于，所述石墨化工序中，还包含在热处理中，使热处理膜放松的放松工序，该放松工序在1400℃以上2900℃以下的温度区域实施。

8.石墨膜的制造方法，它是以在内芯上卷绕由碳化的高分子膜形成的热处理膜的状态，在2000℃以上的温度实施热处理，进行石墨化的石墨膜的制造方法，其特征在于，包含在热处理的前后，保持w0/r0×100≤7的状态的热处理工序，该r0为内芯的外周的长度，w0为内芯和第1层的热处理膜的空间距离。

9.石墨膜的制造方法，它是以在内芯上卷绕由碳化的高分子膜形成的热处理膜的状态，在2000℃以上的温度进行石墨化的石墨膜的制造方法，其特征在于，包含保持在所存在的N_h的热处理膜间空间中的N_h×0.5以上的热处理膜间空间中距离w_n≤5mm的状态的热处理工序，该N_h为热处理膜的卷绕圈数，w_n为第n层的热处理膜和第n+1层的热处理膜之间的空间的距离，其中，n为0～N_h-1的整数，第0层为内芯的外表面。

10.石墨膜的制造方法，它是以在内芯上卷绕由碳化的高分子膜形成的热处理膜的状态，在2000℃以上的温度进行石墨化的石墨膜的制造方法，其特征在于，包含在热处理前后保持(r_n+1-r_n)/r_n×100≤8的状态的热处理工序，该r_n为第n层热处理膜的卷绕长度，r_n+1为第n+1层热处理膜的卷绕长度，其中，n为0或自然数，r0为内芯的外周的长度。

11.石墨膜的制造方法，它是以在内芯上卷绕由碳化的高分子膜形成的热处理膜的状态，在2000℃以上的温度进行石墨化的石墨膜的制造方法，其特征在于，包含在热处理前后保持1≤D/(N_h×d)≤2.5的状态的热处理工序，该N_h为热处理膜的卷绕圈数，d为热处理膜的每1层的厚度，D为热处理膜的表观卷厚。