[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光二极管，所述发光二极管包括：

发光芯片，产生光；

芯片安装部，所述发光芯片安装在所述芯片安装部上；

光反射层，形成在所述芯片安装部的至少一部分上；以及

保护层，形成在所述光反射层上，所述保护层具有比所述光反射层更高的耐腐蚀性，以防止所述光反射层的腐蚀。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其中，所述光反射层包括反射率等于或高于70％的金属。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其中，所述光反射层包括从由银、铂和铝组成的组中选择的成员。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其中，所述保护层包括消光系数等于或低于4.0的金属。

5.如权利要求4所述的发光二极管，其中，所述保护层包括从由金、镍、钛、钨和钼组成的组中选择的成员。

6.如权利要求5所述的发光二极管，其中，当所述保护层包括金时，所述保护层具有在0.1nm和200nm的范围内的厚度。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其中，所述芯片安装部是引线框架、嵌块、印刷电路板、陶瓷板或CNT基底。

8.如权利要求1所述的发光二极管，所述发光二极管还包括：

壳体，固定所述芯片安装部并具有开口部，所述发光芯片通过所述开口部被暴露；以及

反射件，形成在所述开口部的表面上，

其中，所述光反射层还形成在所述反射件上。

9.一种引线框架，所述引线框架包括：

基体导体层；

光反射层，形成在所述基体导体层的至少一部分上；以及

保护层，形成在所述光反射层上，所述保护层具有比所述光反射层更高的耐腐蚀性，以防止所述光反射层的腐蚀。

10.如权利要求9所述的引线框架，其中，所述光反射层包括反射率等于或高于70％的金属。

11.如权利要求10所述的引线框架，其中，所述光反射层包括从由银、铂和铝组成的组中选择的成员。

12.如权利要求9所述的引线框架，其中，所述保护层包括消光系数等于或低于4.0的金属。

13.如权利要求12所述的引线框架，其中，所述保护层包括从由金、镍、钛、钨和钼组成的组中选择的成员。

14.如权利要求13所述的引线框架，其中，当所述保护层包括金时，所述保护层具有在0.1nm和200nm的范围内的厚度。

15.如权利要求9所述的引线框架，所述引线框架还包括设置在所述基体导体层和所述光反射层之间的镍层。